Si(111)-(7×7)表面への水素化シリコンクラスターイオンの堆積
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概要
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- 日本表面科学会の論文
- 2001-04-10
著者
-
内田 紀行
産総研ナノ電子デバイス研究センター
-
宮崎 剛英
産総研計算科学研究部門
-
渡辺 美代子
アトムテクノロジー研究体-オングストロームテクノロジー研究機構
-
金山 敏彦
産総研ナノ電子デバイス研究センター:筑波大学数理物質科学研究科
-
金山 敏彦
産総研次世代半導体
-
金山 敏彦
アトムテクノロジー研究体 産業技術総合領域研究所
-
渡辺 美代子
アトムテクノロジー研究体(atp)
-
Bolotov L.
アトムテクノロジー研究体-オングストロームテクノロジー研究機構
-
Bolotov Leonid
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
-
内田 紀行
アトムテクノロジー研究体-産業技術融合領域研究所
-
BOLOTOV Leonid
アトムテクノロジー研究体-オングストロームテクノロジー研究機構
-
宮崎 剛英
電子技術総合研究所
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