29pXC-10 遷移金属内包シリコンクラスターの安定性とOctet則(29pXC 領域4,領域5合同 磁性半導体・その他,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2006-03-04
著者
-
内田 紀行
産総研ナノ電子デバイス研究センター
-
宮崎 剛英
産総研計算科学研究部門
-
金山 敏彦
産総研ナノ電子デバイス研究センター:筑波大学数理物質科学研究科
-
金山 敏彦
産総研次世代半導体
-
内田 紀行
筑波大数理物質(電子・物理)
-
宮崎 剛英
産総研計算科学
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