宮崎 剛英 | 産総研計算科学

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概要

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• 金山 敏彦

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  産総研ナノ電子デバイス研究センター

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  産総研エネルギー技術

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  産総研ナノ電子デバイス研究センター:筑波大学数理物質科学研究科

• 宮崎 剛英

  JRCAT-融合研

• 金山 敏彦

  産総研ナノ電子デバイス研究センター

• 大串 秀世

  電総研

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  電総研

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  産総研ナノ電子デバイス

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• 金山 敏彦

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  産総研エネルギー技術

• 金山 敏彦

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• 山崎 隆浩

  JRCAT

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  産総研次世代半導体研究センター

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• 加藤 宙光

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• 宮崎 剛英

  アトムテクノロジー研究体

• 宮崎 剛英

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• 内田 紀行

  筑波大数理物質(電子・物理)

• 小倉 政彦

  産総研エネルギー技術

• 宮崎 剛英

  産総研次世代半導体研究センター

• 大串 秀世

  産総研新炭素系材料開発研究センター

• 松下 祐介

  産総研ナノ電子デバイス研究センター:筑波大学数理物質科学研究科

• 鮫島 健一郎

  産総研ナノ電子デバイス研究センター:筑波大学数理物質科学研究科

• 加藤 宙光

  (独)産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門:CREST c/o 産総研

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著作論文

• 22pGR-15 遷移金属内包Siクラスター凝集膜の構造解析(22pGR ゼオライト・クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pXJ-4 遷移金属安定化2重グラフェンシート構造のシリコン半導体超薄膜II(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18aWH-9 遷移金属安定化2重グラフェンシート構造のシリコン半導体超薄膜(ナノ構造量子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aTA-1 遷移金属で安定化したグラフェンシート状単一シリコン原子層の構造モデル(21aTA 領域9,領域7合同 グラフェン・グラファイトの形成と評価II,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 5a-H-13 Si(001)表面のC-型欠陥の構造安定性 : intrinsicモデルと不純物モデルの比較
• 3a-K-6 水素化シリコンクラスターの安定構造
• 31p-PSB-21 Si(001)表面のC欠陥II
• 29p-PSB-31 シリコンクラスターの構造安定性に対する水素化の効果
• 22pGQ-10 水素化ダイヤモンド表面上のリン原子と原子空孔のエナージェティクス(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 17pTG-16 半導体ダイヤモンド中の窒素-水素欠陥の計算
• 28aYC-5 半導体ダイヤモンド中の硫黄原子の作る欠陥構造と電子状態 II
• 24pYP-5 半導体ダイヤモンド中の硫黄原子の作る欠陥構造と電子状態
• 26pYL-12 気相合成ダイヤモンド中の浅い不純物準井の計算
• 27aYB-4 シリコンリッチなアモルファス遷移金属シリサイドの構造と電子状態(液体金属,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 29pXC-10 遷移金属内包シリコンクラスターの安定性とOctet則(29pXC 領域4,領域5合同 磁性半導体・その他,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 12aYB-12 遷移金属-Si クラスター TMSi_ (TM=Hf, Ta, W, Re, Os, Ir) の安定性(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
• 25aYH-2 水素化ダイヤモンド表面へのリンおよびボロン不純物添加エナージェティクス(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 31a-S-12 Si(001)表面上の欠陥構造と電子状態
• 2p-PSA-2 Si(001)表面マイグレーション : ダイマーバックリングの与える効果
• 21pYM-4 リンドープダイヤモンド半導体中の不純物複合体の擬平衡状態分布(格子欠陥・ナノ構造(半導体・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 26pYM-3 不純物原子複合体形成によるワイドバンドギャップ半導体のドーピング効率(格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))

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