山崎 隆浩 | 株式会社富士通研究所
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概要
関連著者
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山崎 隆浩
株式会社富士通研究所
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山崎 隆浩
富士通研究所
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山崎 隆浩
富士通研
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寺倉 清之
北陸先端大融合院
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金田 千穂子
富士通研
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金田 千穂子
富士通研究所
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寺倉 清之
Jrcat
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宇田 毅
アドバンスソフト
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宇田 毅
JRCAT-ATP
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池田 稔
富士通研究所:富士通
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池田 稔
富士通研究所
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内山 登志弘
産業技術融合領域研究所アトムテクノロジー研究体
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山崎 隆浩
JRCAT
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寺倉 清之
東大物性研
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内山 登志弘
JRCAT-ATP
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池田 稔
富士通厚木研究所
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山崎 隆浩
富士通厚木研究所
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池田 稔
富士通厚木研
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内山 登志弘
JRCAT
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森川 良忠
阪大産研
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岡 秀樹
株式会社富士通研究所
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岡 秀樹
(株)富士通研究所
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田辺 亮
株式会社富士通研究所
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芦澤 芳夫
株式会社富士通研究所
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寺倉 清之
産総研:北陸先端大
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高橋 憲彦
富士通研究所
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森川 良忠
東大物性研
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谷田 義明
富士通研
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宇田 毅
JRCAT
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加藤 弘一
(株)東芝研究開発センター新機能材料・デバイスラボラトリー
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谷田 義明
富士通研究所
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加藤 弘一
JRCAT-ATP
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宇田 毅
(株)ASMS
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小坂 裕子
富士通研究所
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山崎 隆浩
(株)富士通研究所
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藤田 真理
富士通研究所
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原 久美子
富士通厚木研究所
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寺倉 清之
産総研
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寺倉 清之
融合研(jrcat)
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金田 千穂子
(株)富士通研究所
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小坂 裕子
(株)富士通研究所
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森崎 祐輔
(株)富士通研究所
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杉田 義博
(株)富士通研究所
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宇田 毅
アトムテクノロジー研究所オングストロームテクノロジ研究機構
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内山 登志弘
アトムテクノロジー研究所オングストロームテクノロジ研究機構
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寺倉 清之
アトムテクノロジー研究体産業技術融合領域研究所
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内山 登志弘
JACAT-ATP
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宇田 毅
JACAT-ATP
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寺倉 清之
JACAT-NAIR
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宇山 毅
JRCAT-ATP
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石田 浩
東大・物性研
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大淵 真理
富士通研究所
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池田 稔
富士通研厚木研究所
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石田 浩
東大物性研究所
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Yamasaki Takahiro
JRCAT
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石田 浩
東大 物性研
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森崎 祐輔
株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部
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大淵 真理
(株)富士通研究所
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谷田 義明
(株)富士通研究所
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池田 稔
(株)富士通研究所
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宇田 毅
アトムテクノロジー研究体
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宮崎 剛英
JRCAT-融合研
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宮崎 剛英
産総研計算科学
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石田 浩
東大物性研
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原 久美子
富士通厚木研
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石田 浩
物惟研
著作論文
- 電流方向を考慮した歪みSiデバイスのスケーリングに関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 3次元モンテカルロ・シミュレーションによるマルチゲートMOSFETの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 22pWA-5 半導体デバイス用絶縁膜材料開発における原子スケールシミュレーションの活用(領域11,領域4合同シンポジウム:コンピュテーショナル・マテリアルズ・デザイン(CDM^[○!R])先端研究事例,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 22pWA-5 半導体デバイス用絶縁膜材料開発における原子スケールシミュレーションの活用(領域11,領域4合同シンポジウム,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- ナノデバイスに向けたシリコン/絶縁体界面の解明と設計のための試み (特集 原子・電子レベルからの材料界面設計)
- HfO_2系ゲート絶縁膜の熱的安定性に対する窒素添加効果(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- HfO_2系高誘電率ゲート絶縁膜の熱的安定 : 分子動力学シミュレーション(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- Si/SiO_2界面の窒素によるトラップレベルの発生(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 高誘電率ゲート絶縁膜材料の結晶化シミュレーション
- Si/SiO_2界面の構造と電子状態
- 26pYL-5 Si(100)/SiO_2界面欠陥の電子状態
- 26aPS-8 Sio_2/Si(001)界面の電子構造
- 29a-PS-9 SiO_2/Si(001)界面構造と電子状態(II)
- 27a-PS-11 SiO_2/Si(001)界面構造と電子状態
- 31a-PS-20 SiO_2/Siの界面構造(II)
- 7a-PS-31 SiO_2/Siの界面構造
- 31a-TA-9 Si(001)面再配列構造と古典的ポテンシャル : 擬ポテンシャル法との比較及び検討
- 29p-PSB-8 SI(001)上のAl、Gaの吸着IV
- 27a-Y-9 Si(001)上へのAl、Gaの吸着 III
- Si(100)面の酸化反応における等温及び断熱遷移過程
- 3a-K-9 スピン分極GGAによるSi(100)面の初期酸化過程の解析II
- 30a-PS-8 スピン分極GGAによるSi(001)面の初期酸化過程の解析
- 電流方向を考慮した歪みSiデバイスのスケーリングに関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 3次元モンテカルロ・シミュレーションによるマルチゲートMOSFETの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- TiSi_2の圧力誘起C54-C49構造相転移の理論的研究
- 7a-PS-30 Si(001)表面のSiダイマーの拡散と凝集
- 29a-PS-1 Si(001)表面のSiダイマー拡散
- アトムテクノロジ-研究体におけるVPP500の応用事例 (特集 HPC(High Performance Computing))
- 30a-PS-9 第一原理計算によるSi(001)表面の結晶成長素過程の解析II
- 31a-J-1 第一原理計算による水素終端Si(100)面上のAl原子吸着
- 12a-A-12 TiSi_2構造の擬ポテンシャル法による検討
- 13a-PS-1 PWPP-CP法によるSi(001)表面の水素吸着構造
- 28a-ZS-3 Si(100)上へのAl、Gaの吸着II
- 30a-ZD-11 Si(100)上へのAl,Gaの吸着
- 31p-S-12 第一原理計算によるSi(001)表面の結晶成長素過程の解析
- 31a-S-12 Si(001)表面上の欠陥構造と電子状態