HfO_2系高誘電率ゲート絶縁膜の熱的安定 : 分子動力学シミュレーション(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
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概要
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次世代シリコンLSI用高誘電率ゲート絶縁膜への適用が有望視されているHfO_2系材料は、デバイス製造中の熱処理により、しばしば、結晶化、相分離、隣接するSiO_2層との間の原子拡散による混合等を起こして不均質化する。HfO_2、Hf-シリケートおよびアルミネートについて、これらの過程を古典的分子動力学法により調べ、組成と熱的性質との関係を明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-02
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