26pYL-5 Si(100)/SiO_2界面欠陥の電子状態

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1999-09-03

著者

• 山崎 隆浩

  株式会社富士通研究所

• 金田 千穂子

  富士通研

• 金田 千穂子

  富士通研究所

• 寺倉 清之

  北陸先端大融合院

• 山崎 隆浩

  富士通研究所

• 内山 登志弘

  JACAT-ATP

• 宇田 毅

  JACAT-ATP

• 寺倉 清之

  JACAT-NAIR

• 内山 登志弘

  産業技術融合領域研究所アトムテクノロジー研究体

• 宇田 毅

  アドバンスソフト

• 宇田 毅

  (株)ASMS

• 山崎 隆浩

  富士通研

関連論文

• 21aGT-3 単一成分分子性導体Cu(tmdt)_2の有効モデルとp-d混成(21aGT 単一分子金属・金属錯体・Dirac電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aGT-2 新単一分子性導体Cu(tmdt)_2の第一原理電子状態計算(21aGT 単一分子金属・金属錯体・Dirac電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 電流方向を考慮した歪みSiデバイスのスケーリングに関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 3次元モンテカルロ・シミュレーションによるマルチゲートMOSFETの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 第51回応用物理学関係連合講演会(2004年)
• 25aYG-4 LaAlO_3/SrTiO_3超格子における局所電子分極率の第一原理計算(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26aQL-8 次世代スパコンプロジェクトに期すること(第一原理電子状態計算のフロンティアと次世代計算機への期待,領域11,領域4,領域8,領域9,領域12合同シンポジウム,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aRK-3 電子をドープしたCaMnO_3の磁気秩序における格子歪みの効果(マンガン酸化物,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 26aQL-8 次世代スパコンプロジェクトに期すること(領域11,領域4,領域8,領域9,領域12合同シンポジウム:第一原理電子状態計算のフロンティアと次世代計算機への期待,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 26aQL-8 次世代スパコンプロジェクトに期すること(領域11,領域4,領域8,領域9,領域12合同シンポジウム:第一原理電子状態計算のフロンティアと次世代計算機への期待,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 28pTA-14 FeAsモデル物質における構造と電子状態の相関(28pTA 鉄砒素超伝導体4(NMR),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 22pWA-4 LaAlO_3/SrTiO_3積層薄膜におけるpolar discontinuityのスクリーニング機構の第一原理計算による解析(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 23pXA-7 金属/TiO_2界面の構造とその特性の第一原理計算(23pXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pYA-4 LaFeAsO母物質とフッ素ドープ,酸素欠損の第一原理電子状態計算(21pYA 領域8シンポジウム:鉄化合物新超伝導体の物理,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 25pTD-8 第一原理計算によるLaAlO_3/SrTiO_3積層構造の電子状態の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 新超伝導体の母物質LaFeAsOの結晶構造と磁気秩序の理論的予測
• 単一分子性伝導体の構造と電子状態 (生物物質科学--金属を含む分子系を中心に 特集号) -- (pπ-d系分子化合物)
• 23pRB-4 Au(tmdt)2の電子構造と反強磁性状態(中性イオン・π-d系・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21pXL-9 遷移金属ステップ表面上におけるNO解離反応の第一原理的研究(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23pXK-5 V_n(C_6H_6)_クラスターの磁気特性に関する理論的研究(微粒子・クラスタ,水素ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18pXB-2 界面を含む系での応力・誘電率の微視的分布および電歪の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(電子状態・金属・炭素系物質),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24aPS-55 マルチフェロイクスの第一原理計算 : 電気分極とノンコリニア磁性(24aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 29pTE-8 分子性固体の第一原理電子状態計算における有効クーロン相互作用Uの導入効果(29pTE π-d系,領域7(分子性固体・有機導体))
• シリコン技術
• 22pWA-5 半導体デバイス用絶縁膜材料開発における原子スケールシミュレーションの活用(領域11,領域4合同シンポジウム:コンピュテーショナル・マテリアルズ・デザイン(CDM^[○!R])先端研究事例,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 22pWA-5 半導体デバイス用絶縁膜材料開発における原子スケールシミュレーションの活用(領域11,領域4合同シンポジウム,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• ナノデバイスに向けたシリコン/絶縁体界面の解明と設計のための試み (特集 原子・電子レベルからの材料界面設計)
• HfO_2系ゲート絶縁膜の熱的安定性に対する窒素添加効果(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 結晶工学分科会, シリコンテクノロジー分科会共同企画 : 超高速・低消費電力トランジスタを実現する結晶材料・プロセス・デバイス技術
• HfO_2系高誘電率ゲート絶縁膜の熱的安定 : 分子動力学シミュレーション(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• Si/SiO_2界面の窒素によるトラップレベルの発生(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 半導体A(シリコン)
• 高誘電率ゲート絶縁膜材料の結晶化シミュレーション
• Si/SiO_2界面の構造と電子状態
• 26pYL-5 Si(100)/SiO_2界面欠陥の電子状態
• 26aPS-8 Sio_2/Si(001)界面の電子構造
• 29a-PS-9 SiO_2/Si(001)界面構造と電子状態(II)
• 27a-PS-11 SiO_2/Si(001)界面構造と電子状態
• 31a-PS-20 SiO_2/Siの界面構造(II)
• 酸化膜中の水素関連不純物による欠陥および電荷捕獲中心の生成
• 7a-PS-31 SiO_2/Siの界面構造
• 酸化膜中欠陥の物理
• 酸化膜中の局所的歪みおよび不純物によるトラップ生成
• 14aTL-9 有機強誘電体 Phz-H2ca の第一原理計算(誘電体, 領域 10)
• 21pWB-5 単一成分分子性導体の第一原理電子状態計算(陽ラジカル塩,単一成分系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pXE-11 Ni(tmdt)_2 のフェルミ面形状の第一原理計算・磁気量子振動実験結果との比較
• 31a-TA-9 Si(001)面再配列構造と古典的ポテンシャル : 擬ポテンシャル法との比較及び検討
• 29p-PSB-8 SI(001)上のAl、Gaの吸着IV
• 27a-Y-9 Si(001)上へのAl、Gaの吸着 III
• 6a-B-10 Si(100)表面の無障壁酸化
• Si(100)面の酸化反応における等温及び断熱遷移過程
• 3a-K-9 スピン分極GGAによるSi(100)面の初期酸化過程の解析II
• 30a-PS-8 スピン分極GGAによるSi(001)面の初期酸化過程の解析
• 電流方向を考慮した歪みSiデバイスのスケーリングに関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 3次元モンテカルロ・シミュレーションによるマルチゲートMOSFETの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 21pXF-10 Rh(331)ステップ表面でのNO分子の解離過程に関する第一原理的研究(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-140 遷移金属ステップ表面におけるNO分子の吸着構造の理論的研究(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 第一原理計算による触媒の物性予測 (
• TiSi_2の圧力誘起C54-C49構造相転移の理論的研究
• 23aPS-1 乱雑位相近似による固体の全エネルギー計算
• 6p-S-5 Si中のH-C複合欠陥の構造と電子状態(理論)
• 31a-YC-1 シリコン中の炭素-水素複合体の構造と電子状態II
• 4a-YG-6 シリコン中の炭素-水素複合体の構造と電子状態
• 12p-DK-7 シリコン中の格子間酸素の断熱ポテンシャル
• 27p-H-3 シリコン中の格子間酸素の低エネルギー非調和運動に対する炭素の影響
• 29p-K-2 シリコン中の炭素 : 酸素複合体に起因する赤外吸収
• 2p-Z-12 シリコン中の炭素-酸素複合体による赤外吸収
• 31a-Z-7 シリコン中の炭素-酸素複合体の安定構造
• 3p-Q-11 シリコン中の炭素-酸素複合体の安定構造
• 5a-D-10 黒リンの格子振動 : Bond Charge Modelによる計算
• 3p-KG-4 黒リンの電子-格子相互作用(移動度の異方性)
• 13a-NS19 黒リンの電子 : 格子相互作用II(移動度の異方性)
• 27a-N-5 黒リンの格子振動
• 3a-A-4 黒リンの格子振動
• 黒リンの電子構造と物性について(計算機による固体相転移の研究,科研費研究会報告)
• 31p-E-12 黒リンの格子振動III
• 2p-NL-19 黒リンの格子振動 II
• 30a-S-1 黒リンの格子振動
• 7a-PS-30 Si(001)表面のSiダイマーの拡散と凝集
• 29a-PS-1 Si(001)表面のSiダイマー拡散
• アトムテクノロジ-研究体におけるVPP500の応用事例 (特集 HPC(High Performance Computing))
• 30a-PS-9 第一原理計算によるSi(001)表面の結晶成長素過程の解析II
• 31a-J-1 第一原理計算による水素終端Si(100)面上のAl原子吸着
• 12a-A-12 TiSi_2構造の擬ポテンシャル法による検討
• 13a-PS-1 PWPP-CP法によるSi(001)表面の水素吸着構造
• 28a-ZS-3 Si(100)上へのAl、Gaの吸着II
• 26a-G-8 格子間型不純物酸素によるSi結晶の低温弾性異常 (II)
• 29p-K-12 GeドープによるSi:Oの局在モード変調(II)
• 31p-TB-1 Si中の格子間酸素による1750cm吸収帯の起源
• シリコン中の酸素のふるまい (半導体の不純物精密制御とクリ-ン化)
• 30a-ZD-11 Si(100)上へのAl,Gaの吸着
• 酸化膜中の欠陥と電荷捕獲--量子論的計算によるアプロ-チ
• 3a-M-11 アモルファスSiO_2中の不純物による正孔捕獲と原子移動
• アモルファスSiO2における欠陥と劣化
• 27a-N-13 SiO_2中のholeのself-trapに対する局所的構造変化の影響
• 31p-S-12 第一原理計算によるSi(001)表面の結晶成長素過程の解析
• 31a-S-12 Si(001)表面上の欠陥構造と電子状態
• 計算化学統合プラットフォームSCIGRESSの適用事例 (特集 材料設計ソリューションの開発・利用の現状と課題) -- (個別ソリューション・プラットフォーム事例)
• 1a-L2-10 Si:oにおけるオフセンタートンネル励起-局在フォノン相互作用(半導体,(ナローギャップ半導体・輸送現象))
• 28p-LE-1 格子間型不純物酸素によるシリコン結晶の低温弾性異常(半導体)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク