山崎 隆浩 | 富士通研
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概要
関連著者
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山崎 隆浩
富士通研
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山崎 隆浩
富士通研究所
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山崎 隆浩
株式会社富士通研究所
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金田 千穂子
富士通研究所
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金田 千穂子
富士通研
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宇田 毅
アドバンスソフト
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寺倉 清之
北陸先端大融合院
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内山 登志弘
産業技術融合領域研究所アトムテクノロジー研究体
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寺倉 清之
Jrcat
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内山 登志弘
JRCAT-ATP
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宇田 毅
(株)ASMS
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内山 登志弘
JRCAT
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岡 秀樹
株式会社富士通研究所
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岡 秀樹
(株)富士通研究所
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田辺 亮
株式会社富士通研究所
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芦澤 芳夫
株式会社富士通研究所
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高橋 憲彦
富士通研究所
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宇田 毅
JRCAT-ATP
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宇田 毅
JRCAT
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小坂 裕子
富士通研究所
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大野 隆央
物材機構
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斎藤 峯雄
金沢大自然
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斎藤 峯雄
金沢大理工
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池田 稔
富士通研究所
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池田 稔
富士通研究所:富士通
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甲賀 淳一朗
慶大理工
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山崎 隆浩
東大生研:富士通研
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金田 千穂子
(株)富士通研究所
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小坂 裕子
(株)富士通研究所
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山崎 隆浩
(株)富士通研究所
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森崎 祐輔
(株)富士通研究所
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杉田 義博
(株)富士通研究所
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宇田 毅
アトムテクノロジー研究所オングストロームテクノロジ研究機構
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内山 登志弘
アトムテクノロジー研究所オングストロームテクノロジ研究機構
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寺倉 清之
アトムテクノロジー研究体産業技術融合領域研究所
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内山 登志弘
JACAT-ATP
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宇田 毅
JACAT-ATP
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寺倉 清之
JACAT-NAIR
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宇山 毅
JRCAT-ATP
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山本 武範
東邦大理
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大野 隆央
NIMS
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谷田 義明
富士通研究所
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藤田 真理
富士通研究所
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池田 稔
富士通研厚木研究所
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大野 隆央
物質材料研究機構:東大生産研
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大野 隆央
物材機構:東大生研
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大野 隆央
東大理
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大野 隆央
金属材料技術研究所
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大野 隆央
Ntt基礎研究所
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大野 隆央
物質・材料研究機構計算科学センター
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森崎 祐輔
株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部
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谷田 義明
富士通研
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宇田 毅
アトムテクノロジー研究体
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大野 隆央
東京大学生産技術研究所
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山本 武範
東大生研:東邦大理
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山本 武範
東邦大理:東大生研
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奈良 純
物質材料研究機構:東大生産研
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大野 隆央
物材機構:jst-crest
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斎藤 峯雄
金沢大理工:東大生研
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奈良 純
物材機構
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甲賀 淳一朗
(株)ASMS
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黒田 義明
理研
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南 一生
理研
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山崎 隆浩
物材機構
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加藤 弘一
東芝R&Dセンター
著作論文
- 電流方向を考慮した歪みSiデバイスのスケーリングに関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 3次元モンテカルロ・シミュレーションによるマルチゲートMOSFETの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 22pWA-5 半導体デバイス用絶縁膜材料開発における原子スケールシミュレーションの活用(領域11,領域4合同シンポジウム:コンピュテーショナル・マテリアルズ・デザイン(CDM^[○!R])先端研究事例,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 22pWA-5 半導体デバイス用絶縁膜材料開発における原子スケールシミュレーションの活用(領域11,領域4合同シンポジウム,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- ナノデバイスに向けたシリコン/絶縁体界面の解明と設計のための試み (特集 原子・電子レベルからの材料界面設計)
- HfO_2系ゲート絶縁膜の熱的安定性に対する窒素添加効果(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- HfO_2系高誘電率ゲート絶縁膜の熱的安定 : 分子動力学シミュレーション(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- Si/SiO_2界面の窒素によるトラップレベルの発生(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 高誘電率ゲート絶縁膜材料の結晶化シミュレーション
- Si/SiO_2界面の構造と電子状態
- 26pYL-5 Si(100)/SiO_2界面欠陥の電子状態
- 26aPS-8 Sio_2/Si(001)界面の電子構造
- 29a-PS-9 SiO_2/Si(001)界面構造と電子状態(II)
- 27a-PS-11 SiO_2/Si(001)界面構造と電子状態
- 31a-PS-20 SiO_2/Siの界面構造(II)
- 7a-PS-31 SiO_2/Siの界面構造
- 21aRB-11 シリコン中単原子空孔の構造に関する第一原理計算(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 電流方向を考慮した歪みSiデバイスのスケーリングに関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 3次元モンテカルロ・シミュレーションによるマルチゲートMOSFETの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 12a-A-12 TiSi_2構造の擬ポテンシャル法による検討
- 計算化学統合プラットフォームSCIGRESSの適用事例 (特集 材料設計ソリューションの開発・利用の現状と課題) -- (個別ソリューション・プラットフォーム事例)
- 19aAG-2 SiC中の螺旋転位構造と電子状態(19aAG 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26pJB-8 Si(110)-(16×2)表面五員環構造の起源(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))