斎藤 峯雄 | 金沢大理工:東大生研

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  物材機構:jst-crest

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• 長尾 忠昭

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• 柳沼 晋

  物材機構

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• 西田 和永

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• 長尾 忠昭

  物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター

• 柳 沼晋

  物材機構ナノマテ研:筑波大院数物

• 長尾 秀実

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• 山本 哲徳

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• 谷口 仁

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• 押山 淳

  東大院工

• 内田 和之

  東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻

• 尾崎 泰助

  北陸先端大融合院

• 長尾 秀実

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• 中本 淳嗣

  金沢大自然

• 岡本 政邦

  東大生研

• 長尾 忠昭

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• 柳沼 晋

  NIMS

• 橋 知史

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• 山下 和晃

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• 岡本 政邦

  日立機械研

• 青山 泰崇

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• 長尾 忠昭

  物材機構wpi-mana Nims Tsukuba

• 川崎 智代

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• 西田 美穂

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• 尾崎 泰助

  北陸先端大

• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 野中 源一郎

  九州大学薬学部

• 岡田 晋

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 中山 知信

  物材機構

• 岡田 晋

  筑波大計科セ:crest

• 長岡 克己

  早稲田大学理工学部応用物理学科

• 山崎 隆浩

  富士通研究所

• 山本 武範

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  NIMS

• 小鷹 浩毅

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• 石井 史之

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• 澤田 啓介

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• 岡田 晋

  筑波大計算科セ

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  物材機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点

• 柳沼 晋

  物材機構,筑波大院数理物質

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• Koroteev Yu.

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• Bihlmayer G.

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• 中山 知信

  物材機構,筑波大院数理物質

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• 川本 鷹雅

  金沢大理

• Nishida Kazunori

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著作論文

• 21aHT-3 グラフェンにおけるアドアトム関連欠陥の第1原理計算(21aHT 格子欠陥・ナノ構造(炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 23aGS-14 非磁性基板上グラフェンナノリボンの磁性と電子構造(23aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20pHT-7 シリコン中多原子空孔の大規模第一原理計算(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 28aYE-7 キャリヤドーピングによるアームチェアグラフェンナノリボンの磁性発現(グラフェン電子物性(物性予測),領域7,分子性固体・有機導体)
• 25aYK-1 グラフェンアドアトムとその二量体の構造と拡散(格子欠陥・ナノ構造(炭素),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 29pRB-15 グラフェンアドアトムとダイマーの動的過程(29pRB 領域10,領域9合同(金属・陽電子・水素・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27aYH-10 グラフェンナノリボンのキャリアドーピングによる磁性制御(27aYH グラフェン・グラファイト関連,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pYK-10 シリコン中原子空孔の大規模第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 21aRB-11 シリコン中単原子空孔の構造に関する第一原理計算(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 23pYF-3 結晶における陽電子寿命の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 22aPS-123 固体中陽電子寿命の第一原理計算(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26pPSB-39 Bi原子スケール薄膜の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26pPSB-13 基板上グラフェンナノリボンの電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 28aRF-4 Bi{012}超薄膜における双安定性と相対論的効果(28aRF 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 20aPS-2 Si(111)表面上の半金属Biナノ薄膜の成長及び電子状態の研究II(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26aWZ-11 シリコン10原子空孔の大規模第一原理計算(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 24aPS-101 グラフェンにおけるアドアトム・空孔対の第一原理計算(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-103 カーボンナノチューブにおけるアドアトム・空孔対の安定構造(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pRA-5 基板上グラフェンナノリボンにおける磁性(23pRA グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pPSA-40 グラフェンアドアトムの動的過程と集合(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSB-31 グラフェンにおけるアドアトムおよびダイマーの第一原理シミュレーション(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aTD-2 グラフェン固有欠陥の拡散と集合(格子欠陥・ナノ構造(炭素・ナノ構造),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 25aYK-7 グラフェン固有欠陥の第一原理計算(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24aPS-131 DNAの赤外吸収スペクトルに対する第一原理計算(領域12ポスターセッション,領域12,ソフトマター物理,化学物理,生物物理)
• 20aPS-121 DNAの赤外吸収スペクトルにおける水の影響(20aPS 領域12ポスターセッション,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
• 25pPSB-49 DNAの赤外吸収スペクトルにおける水の効果(ポスターセッション,領域12,ソフトマター物理,化学物理,生物物理)
• 領域10,領域4,領域8「高濃度ドープへの挑戦とそれに伴う格子欠陥の解決」(第64回年次大会シンポジウムの報告)
• 28pRF-1 はじめに(28pRF 領域10,領域4,領域8合同シンポジウム:高濃度ドープへの挑戦とそれに伴う格子欠陥の解決,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28pRF-1 はじめに(28pRF 領域10,領域4,領域8合同シンポジウム:高濃度ドープへの挑戦とそれに伴う格子欠陥の解決,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 25aPS-39 Ca_3CoMnO_6における交換相互作用と電気分極の第一原理計算(25aPS-3 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 27pTJ-5 グラフェンシート上アドアトム・空孔対に対する第一原理計算(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(炭素・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 28pTA-12 基板上グラフェンにおける磁性と伝導特性(28pTA 領域7,領域9合同 グラフェン(修飾/キャリア・ドープ),領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pTB-4 カーボンナノチューブの磁性と伝導の第一原理計算(25pTB ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pTJ-9 シリコン中10原子空孔の電子状態(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 24aHA-2 グラフェン・ナノチューブにおけるアドアトム関連欠陥の第一原理計算(24aHA 表面ナノ構造量子物性(微粒子・クラスタ),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aTG-3 カーボンナノチューブの電気伝導の第一原理計算 : 水素不純物と磁性電極の影響(21aTG ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aPS-108 Ca_3CoMnO_6の三角格子における磁気秩序と電気分極の第一原理計算(21aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 21pTE-13 磁性電極を用いたグラフェンにおける伝導特性の第一原理計算(21pTE 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aGQ-9 シリコン中10原子空孔の特異な電子構造(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 23pPSB-30 First-principles study of healing of adatom-vacancy pair in carbon nanotubes

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