居波 哲 | 金沢大理工

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概要

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関連著者

• 山崎 隆浩

  東大生研

• 山本 武範

  東大生研

• 大野 隆央

  東大生研

• 山崎 隆浩

  東大生研:富士通研

• 居波 哲

  金沢大理工

• 大野 隆央

  物質材料研究機構:東大生産研

• 大野 隆央

  物材機構:東大生研

• 大野 隆央

  東大理

• 大野 隆央

  金属材料技術研究所

• 大野 隆央

  Ntt基礎研究所

• 大野 隆央

  物質・材料研究機構計算科学センター

• 大野 隆央

  東京大学生産技術研究所

• 山本 武範

  東大生研:東邦大理

• 山本 武範

  東邦大理:東大生研

• 大野 隆央

  物材機構:jst-crest

• 斎藤 峯雄

  金沢大理工:東大生研

• 斎藤 峯雄

  金沢大自然

• 居波 哲

  金沢大自然

• 石井 史之

  金沢大自然

• 石井 史之

  金沢大理工

• 押山 淳

  東大院工

• 内田 和之

  東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻

• 斎藤 峯雄

  金沢大理工

• 内田 和之

  東大院工

• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 野中 源一郎

  九州大学薬学部

• 石井 史之

  金沢大自然研

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著作論文

• 20pHT-7 シリコン中多原子空孔の大規模第一原理計算(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 25pYK-10 シリコン中原子空孔の大規模第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 26aWZ-11 シリコン10原子空孔の大規模第一原理計算(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 27pTJ-9 シリコン中10原子空孔の電子状態(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22aGQ-9 シリコン中10原子空孔の特異な電子構造(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

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