大野 隆央 | 物材機構:東大生研

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概要

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• 大野 隆央

  物材機構:東大生研

• 大野 隆央

  金属材料技術研究所

• 大野 隆央

  物質材料研究機構:東大生産研

• 大野 隆央

  物材機構

• 大野 隆央

  物材機構(NIMS)計算材料セ

• 大野 隆央

  物質・材料研究機構計算科学センター

• 大野 隆央

  東大理

• 大野 隆央

  Ntt基礎研究所

• 大野 隆央

  東京大学生産技術研究所

• 大野 隆央

  物材機構:jst-crest

• 近藤 恒

  東大生研

• 奈良 純

  物質材料研究機構:東大生産研

• 山本 武範

  東大生研:東邦大理

• 山本 武範

  東邦大理:東大生研

• 近藤 恒

  物質材料研究機構:東大生産研

• 大野 隆央

  東大生研

• 宇田 毅

  アドバンスソフト

• 宇田 毅

  (株)ASMS

• 館山 佳尚

  物材機構mana:物材機構環境拠点:jstさきがけ:jst-crest

• 奈良 純

  物材機構(NIMS)計算材料セ

• 籾田 浩義

  物質・材料研究機構

• 籾田 浩義

  物質・材料研究機構計算科学センター

• 籾田 浩義

  東京大学生産技術研究所

• 奈良 純

  物材機構

• 山本 武範

  東大生研

• 濱田 智之

  東大生研

• 宮崎 剛

  物材機構

• 山崎 隆浩

  東大生研:富士通研

• 中村 美道

  東大生研

• 宮崎 剛

  東理大理工:物材機構

• 斎藤 峯雄

  金沢大理工:東大生研

• 斎藤 峯雄

  金沢大自然

• 山崎 隆浩

  東大生研

• 西野 正理

  物材機構

• Boukheddaden K.

  Versailles大

• Varret F.

  Versailles大

• 宮下 精二

  東大理

• 宇田 毅

  アドバンスソフト株式会社第2部

• 宮下 精二

  東大理:crest

• 居波 哲

  金沢大理工

• 宮下 精二

  東大・工・物工

• 高木 祥光

  筑波大計科セ:crest

• Varret F.

  分子研

• 西野 正理

  物材機構:jst-crest

• 大野 隆央

  物材機構計算科学セ

• 小田 将人

  和歌山大シス工

• 奈良 純

  物質材料研究機構

• 大野 隆央

  物質材料研究機構

• 大野 隆央

  金材技研

• 宮崎 剛

  物質・材料研究機構

• 館山 佳尚

  金材技研

• 高橋 憲彦

  物材機構:科技構

• 小田 将人

  和歌山大学大学院システム工学研究科

• 居波 哲

  金沢大自然

• 小西 優祐

  物構研

• 斎藤 峯雄

  金沢大理工

• 大塚 教雄

  物材機構計算科学セ

• 宮崎 剛

  物材機構計算科学セ

• Bowler David

  ユニバーシティーカレッジロンドン

• Gillan Michael

  ユニバーシティーカレッジロンドン

• 宮崎 剛

  金材技研

• 大野 隆央

  物質・材料研究機構

• 宇田 毅

  日立基礎研

• 石井 史之

  金沢大自然

• 石井 史之

  金沢大理工

• 宮下 精二

  京都大学・人間環境学研究科

• 高橋 憲彦

  物材機構

• 高木 祥光

  東大生研

• 古賀 裕明

  物材機構

• 山本 武範

  アドバンスソフト

• 籾田 浩義

  東大生研

• 小西 優祐

  東大理

• 宮下 精二

  東大理:crest-jst

• 押山 淳

  東大院工

• 内田 和之

  東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻

• 館山 佳尚

  物材機構MANA

• 木野 日織

  物材機構

• 山本 武範

  東邦大理

• 大野 隆央

  独立行政法人 物質･材料研究機構計算材料科学研究センタｰ

• 宇田 毅

  東大生研

• 耿 文通

  北京科学技術大学

• 近藤 恒

  東大生産研

• 濱田 智之

  東京大学生産技術研究所

• 浅利 裕介

  物材機構

• 中村 美道

  物材機構

• 内田 和之

  東大院工

• 館山 佳尚

  物材機構 計算材料科学研究センター

• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 野中 源一郎

  九州大学薬学部

• 石井 史之

  金沢大自然研

• 檜貝 信一

  村田製作所

• 小田 将人

  和歌山大学システム工学部

• 近藤 恒

  物質材料研究機構

• Bowler D.

  University College London

• 中山 恒義

  北大院工

• 中山 隆史

  千葉大理

• 館山 佳尚

  物質・材料研究機構

• 山崎 隆浩

  富士通研究所

• 大野 隆央

  NIMS

• 中山 隆史

  千葉大学理学部

• 新田 仁

  富士総研

• 中山 隆史

  千葉大

• 中山 隆史

  千葉大学

• 西川 宜孝

  富士総研

• 館山 佳尚

  独立行政法人 物質･材料研究機構計算材料科学研究センタｰ

• 高橋 憲彦

  ACT-JST

• 小田 将人

  和歌山大学

• 小田 将人

  物質材料研究機構

• Geng W.

  北京科学技術大学

• Gillan M.

  University College London

• 籾田 浩義

  物材機構

• 籾田 浩義

  東大生産研

• 濱田 智之

  東大生産研

• 高木 祥光

  東大生産研

• 大野 隆央

  Nims計算科学センター

• 熊谷 雅美

  Ntt物性研

• 近藤 恒

  物材機構

• 浅利 裕介

  東大生産研

• 大野 隆央

  東大生産研

• 奈良 純

  (独)物質材料研究機構 計算材料科学研究センター

• 近藤 恒

  東京大学生産技術研究所 計算科学技術連携研究センター

• 高木 祥光

  東京大学生産技術研究所 計算科学技術連携研究センター

• 大野 隆央

  (独)物質材料研究機構 計算材料科学研究センター

• 小野 裕己

  東大生研

• 高河原 俊秀

  京都工繊大電情

• 矢久保 考介

  北大工

• 高河原 俊秀

  京都工繊大

• Boukheddaden K.

  Vbrsailles大

• Varret F.

  Vbrsailles大

• 中山 隆史

  干葉大理

• 山崎 隆浩

  富士通研

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著作論文

• 20pHT-7 シリコン中多原子空孔の大規模第一原理計算(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21pPSA-11 Si(100)表面におけるスチレン分子列間の相互作用(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aRC-4 DNAの構造と電子状態に対するオーダーN法第一原理計算3(28aRC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 20pVC-14 DNAの構造と電子状態に対するオーダーN法第一原理計算2(20pVC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 22aXK-11 クマリン系色素吸着チタニア表面の構造と電子状態(表面磁性,表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pWA-11 DNAの構造と電子状態に対するオーダーN法第一原理計算(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 結晶転位の第一原理電子論
• 19pPSB-34 励起状態グラファイトのE_フォノンに関する理論的研究(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 25pYK-10 シリコン中原子空孔の大規模第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 21aRB-11 シリコン中単原子空孔の構造に関する第一原理計算(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 第一原理計算による水素脆性現象の解析
• 27pPSA-38 水素終端Si(001)表面における水素原子の反応性散乱過程の量子論(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 27pPSA-25 Si系の第一原理/強結合ハイブリッド計算(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 25aYP-4 第一原理計算から見た鉄中のクラック形成に対する空孔-水素複合体の効果
• 27aXD-2 AFM探針構造のFP/TB/MMハイブリッドシミュレーション(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15aPS-61 複数領域ハイブリッド法の応用 : AFM 探針構造の大規模計算(領域 9)
• 26aWZ-11 シリコン10原子空孔の大規模第一原理計算(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 24aPS-106 金属電極に挟まれた1次元分子列の電気伝導特性(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-102 ファンデルワールス密度汎関数を用いた1次元鎖状有機物質の第一原理計算(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSA-11 有機自己組織化膜絶縁層とゲート電極界面電子状態(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSA-17 ナノ電流スイッチに関する理論的研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18pTG-11 スチレン分子列の伝導特性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSB-19 金クラスターのCO酸化触媒活性に関する密度汎関数計算(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aPS-57 自己形成ビスマスナノライン上に成長する銀ナノ構造に関する第一原理計算(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pPSB-45 ビスマスナノライン上銀吸着構造の第一原理計算(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pTG-4 オーダーN法第一原理計算によるGe/Si(001)3次元構造の安定性に対する研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pWA-12 第一原理手法による圧電物性解析(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 29pXJ-8 Si(001)/SrTiO_3界面のバンド不連続に関する研究(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30pYA-2 第一原理計算によるアモルファスHfAlOの誘電応答解析(30pYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• ゲート絶縁膜材料の誘電率の第一原理計算 : 電子系及び格子系の誘電応答解析(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• 12aTJ-7 立方晶 Ce_2O_3 の格子誘電率の第一原理計算(フォノン物性, 領域 10)
• 29pXK-1 Ce酸化物の誘電率の第一原理計算(誘電体)(領域10)
• 26aYH-12 分子架橋系の伝導特性に対する分子電極間相互作用の役割(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29pPSB-15 第一原理計算によるビフェニル分子架橋系の伝導特性(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pXA-12 金電極に挟まれたビフェニル分子の伝導特性 : 分子電極間相互作用の役割(21pXA 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pRJ-5 金電極に挟まれたビフェニル分子の伝導特性 : 接続原子依存性(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20pXB-1 κアルミナ中の水素の存在状態に関する理論的研究(領域10,領域9合同 格子欠陥・ナノ構造(水素ダイナミクス),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 27aXJ-9 Si(111)-(7x7)表面におけるフッ素の複合体拡散現象(27aXJ 表面ダイナミックス(半導体表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
• ナノシミュレーション(すごーく小さいもの)
• 25pWB-1 半導体ナノチューブ構造における励起子の光過程(25pWB 励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
• 24aRA-13 カーボンナノチューブ内の強誘電的液体状の水(24aRA ナノチューブ2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aPS-61 第一原理計算による単分子架橋系の伝導特性 : 非弾性過程(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24aYL-8 第一原理計算からみたbcc Fe中の原子空孔に対する水素効果
• 24aYL-7 bcc Fe中の格子間水素の量子状態
• 28a-ZA-5 第一原理計算からみたbcc金属中の水素の存在状態
• 23aYH-5 光誘起相転移現象を示すスピンクロスオーバー系の弾性相互作用モデルによる緩和現象の解析(光誘起相転移,他,領域5,領域7合同講演,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22pTQ-7 光誘起相転移現象を示すスピンクロスオーバー系の弾性的相互作用による協力現象の解析(光誘起相転移,領域5,光物性)
• 24pXK-10 電極に挟まれた単分子の伝導特性 : 電子・フォノン相互作用の効果(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aZB-3 光誘起相転移を示すスピンクロスオーバー化合物の二次元弾性体モデルによる体積および圧力変化の解析(光誘起相転移,領域5,光物性)
• 23aRA-4 光誘起相転移を示すスピンクロスオーバー系の弾性体モデルの解析(23aRA 光誘起相転移,領域5(光物性))
• 27aRE-8 弾性体モデルによるスピンクロスオーバー現象の解析と光励起状態からの緩和過程の考察(27aRE 光誘起相転移,領域5(光物性))
• ナノマテリアルシミュレーションと今後の展開
• 27pTJ-9 シリコン中10原子空孔の電子状態(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22aGQ-9 シリコン中10原子空孔の特異な電子構造(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 23pPSA-32 第一原理計算による磁性電極に挟まれた分子の伝導特性(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aTG-7 カーボンナノチューブ内の水分子構造と水分子モデルの関係(21aTG ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pCK-10 磁性電極に挟まれたビフェニル分子の伝導特性(26pCK ナノチューブ・ナノワイヤ・表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))

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