大野 隆央 | 東大生研

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概要

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• 大野 隆央

  東大生研

• 大野 隆央

  物材機構:東大生研

• 大野 隆央

  Ntt基礎研究所

• 山本 武範

  東大生研

• 大野 隆央

  物質材料研究機構:東大生産研

• 大野 隆央

  東大理

• 大野 隆央

  金属材料技術研究所

• 大野 隆央

  物質・材料研究機構計算科学センター

• 大野 隆央

  東京大学生産技術研究所

• 山本 武範

  東大生研:東邦大理

• 山本 武範

  東邦大理:東大生研

• 大野 隆央

  物材機構:jst-crest

• 山崎 隆浩

  東大生研

• 山崎 隆浩

  東大生研:富士通研

• 居波 哲

  金沢大理工

• 奈良 純

  物質材料研究機構:東大生産研

• 斎藤 峯雄

  金沢大理工:東大生研

• 斎藤 峯雄

  金沢大自然

• 宇田 毅

  アドバンスソフト

• 宇田 毅

  (株)ASMS

• 押山 淳

  東大院工

• 居波 哲

  金沢大自然

• 石井 史之

  金沢大自然

• 石井 史之

  金沢大理工

• 高木 祥光

  筑波大計科セ:crest

• 中村 美道

  東大生研

• 高橋 憲彦

  物材機構

• 高木 祥光

  東大生研

• 高橋 憲彦

  物材機構:科技構

• 小野 裕己

  東大生研

• 奈良 純

  物材機構

• 内田 和之

  東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻

• 斎藤 峯雄

  金沢大理工

• 奈良 純

  物材機構(NIMS)計算材料セ

• 浅利 裕介

  東大生研

• 宇田 毅

  日立基礎研

• 濱田 智之

  東大生研

• 宇田 毅

  東大生研

• 小林 伸彦

  産総研ナノテク

• 浅利 裕介

  物材機構

• 小林 伸彦

  筑波大学物理工学系

• 内田 和之

  東大院工

• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 野中 源一郎

  九州大学薬学部

• 石井 史之

  金沢大自然研

• 山本 良一

  東大生研

• 館山 佳尚

  物材機構MANA

• 小林 伸彦

  筑波大院数理物質電物

• 香山 正憲

  産総研ユビキタスエネルギー

• 田村 友幸

  産総研計算科学

• 名取 晃子

  電通大電子

• 香山 正憲

  産総研

• 中山 恒義

  北大院工

• 近藤 恒

  東大生研

• 田村 友幸

  東大工

• 浅利 祐介

  東大生研

• 中山 隆史

  千葉大理

• 籾田 浩義

  物質・材料研究機構

• 近藤 恒

  物質材料研究機構:東大生産研

• 中山 隆史

  千葉大学理学部

• 籾田 浩義

  物質・材料研究機構計算科学センター

• 籾田 浩義

  東京大学生産技術研究所

• 館山 佳尚

  物材機構mana:物材機構環境拠点:jstさきがけ:jst-crest

• 新田 仁

  富士総研

• 中山 隆史

  千葉大

• 中山 隆史

  千葉大学

• 藤本 義隆

  東工大理

• 西川 宜孝

  富士総研

• 大野 隆央

  東大・理

• 籾田 浩義

  東大生研

• 名取 晃子

  電通大

• 押山 淳

  IBM

• 藤本 義隆

  東大生研

• 奈良 純

  東大生研

• 中山 隆史

  干葉大理

• 大野 隆央

  東大生研:物材機構

• 奈良 純

  物材機機

• 館山 佳尚

  物材機構 計算材料科学研究センター

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著作論文

• 20pHT-7 シリコン中多原子空孔の大規模第一原理計算(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27aXT-10 第一原理計算による酸化物ガラス中の欠陥の理論研究(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 25pYK-10 シリコン中原子空孔の大規模第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 27pPSA-25 Si系の第一原理/強結合ハイブリッド計算(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 27aXD-2 AFM探針構造のFP/TB/MMハイブリッドシミュレーション(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15aPS-61 複数領域ハイブリッド法の応用 : AFM 探針構造の大規模計算(領域 9)
• 26aWZ-11 シリコン10原子空孔の大規模第一原理計算(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 24aPS-102 ファンデルワールス密度汎関数を用いた1次元鎖状有機物質の第一原理計算(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pXK-1 Ce酸化物の誘電率の第一原理計算(誘電体)(領域10)
• 12aXG-3 Al 原子細線における電極構造と電気伝導特性(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
• 13p-Y-8 グラファイト表面上アルカリ原子吸着系の全エネルギー
• 27pPSA-64 Al原子細線の電気伝導特性(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 27pPSA-50 電極に挟まれたナノ構造の電気伝導特性の第一原理計算(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 27pTJ-9 シリコン中10原子空孔の電子状態(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22aGQ-9 シリコン中10原子空孔の特異な電子構造(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 24pCC-9 SiC微傾斜面上グラフェンのステップ端近傍における原子構造と基板への影響評価(24pCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aXJ-14 ステップのついたSiC(0001)表面上でのグラフェン成長に関する第一原理分子動力学計算(27aXJ 領域7,領域4合同 グラフェン(表面界面・新物質),領域7(分子性固体・有機導体))

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