大野 隆央 | 東大生研
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概要
関連著者
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大野 隆央
東大生研
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大野 隆央
物材機構:東大生研
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大野 隆央
Ntt基礎研究所
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山本 武範
東大生研
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大野 隆央
物質材料研究機構:東大生産研
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大野 隆央
東大理
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大野 隆央
金属材料技術研究所
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大野 隆央
物質・材料研究機構計算科学センター
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大野 隆央
東京大学生産技術研究所
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山本 武範
東大生研:東邦大理
著作論文
- 20pHT-7 シリコン中多原子空孔の大規模第一原理計算(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27aXT-10 第一原理計算による酸化物ガラス中の欠陥の理論研究(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 25pYK-10 シリコン中原子空孔の大規模第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 27pPSA-25 Si系の第一原理/強結合ハイブリッド計算(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 27aXD-2 AFM探針構造のFP/TB/MMハイブリッドシミュレーション(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15aPS-61 複数領域ハイブリッド法の応用 : AFM 探針構造の大規模計算(領域 9)
- 26aWZ-11 シリコン10原子空孔の大規模第一原理計算(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 24aPS-102 ファンデルワールス密度汎関数を用いた1次元鎖状有機物質の第一原理計算(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pXK-1 Ce酸化物の誘電率の第一原理計算(誘電体)(領域10)
- 12aXG-3 Al 原子細線における電極構造と電気伝導特性(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)