24pCC-9 SiC微傾斜面上グラフェンのステップ端近傍における原子構造と基板への影響評価(24pCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

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概要

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• 2012-03-05

著者

• 大野 隆央

  東大生研

• 奈良 純

  物質材料研究機構:東大生産研

• 小野 裕己

  東大生研

• 大野 隆央

  東大生研:物材機構

• 奈良 純

  物材機構

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