水素終端Si表面におけるGe成長の理論

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 日本表面科学会の論文
• 2002-02-10

著者

• 大野 隆央

  物質・材料研究機構

• 奈良 純

  物質材料研究機構:東大生産研

• 奈良 純

  物質・材料研究機構 計算材料科学研究センター

関連論文

• 21pPSA-11 Si(100)表面におけるスチレン分子列間の相互作用(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXK-11 クマリン系色素吸着チタニア表面の構造と電子状態(表面磁性,表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 12aXF-3 Au(111) 表面上のチオレート分子吸着のテール分子依存性 : 理論的研究(表面界面構造 : 金属・有機化合物, 領域 9)
• 23aYC-5 Au(111) 表面におけるチオフェンチオレート分子の吸着状態 : 理論的研究
• 20aPS-43 Au(111) 表面におけるベンゼンチオールの吸着状態に関する第一原理計算 II
• 31pWD-7 Au(111) 表面におけるベンゼンチオールの吸着状態に関する第一原理計算
• 30aPS-61 第一原理計算による鉄ポルフィリン分子の伝導特性(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-68 金属電極に挟まれた単分子の伝導の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aXD-8 金電極に挟まれたポリフェニルジチオール分子の伝導特性(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 19pPSB-34 励起状態グラファイトのE_フォノンに関する理論的研究(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 30p-S-4 水素終端Si(100)表面上でのSi island形成に関する理論的研究
• 30p-S-3 水素終端Si(100)2x1表面でのSiの吸着拡散過程
• シリコン表面上の半金属Bi超薄膜の同素変態
• 27pPSA-38 水素終端Si(001)表面における水素原子の反応性散乱過程の量子論(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 24aPS-106 金属電極に挟まれた1次元分子列の電気伝導特性(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• Pt(111)表面に吸着したNO分子の振動スペクトル : 第一原理計算による解析
• 22pPSA-11 有機自己組織化膜絶縁層とゲート電極界面電子状態(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSA-17 ナノ電流スイッチに関する理論的研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18pTG-11 スチレン分子列の伝導特性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pTG-4 オーダーN法第一原理計算によるGe/Si(001)3次元構造の安定性に対する研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26aYH-12 分子架橋系の伝導特性に対する分子電極間相互作用の役割(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29pPSB-15 第一原理計算によるビフェニル分子架橋系の伝導特性(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pXA-12 金電極に挟まれたビフェニル分子の伝導特性 : 分子電極間相互作用の役割(21pXA 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pRJ-5 金電極に挟まれたビフェニル分子の伝導特性 : 接続原子依存性(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20pXB-1 κアルミナ中の水素の存在状態に関する理論的研究(領域10,領域9合同 格子欠陥・ナノ構造(水素ダイナミクス),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 27aXJ-9 Si(111)-(7x7)表面におけるフッ素の複合体拡散現象(27aXJ 表面ダイナミックス(半導体表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-51 Si(001)表面上ダイハイドライドの振動計算(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• ナノシミュレーション(すごーく小さいもの)
• ナノシミュレーションで探る新材料設計 (特集1/戦略的基盤ソフトウェアの開発)
• 15aPS-71 第一原理計算による有機分子の電気伝導特性(領域 9)
• 12aXG-3 Al 原子細線における電極構造と電気伝導特性(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
• 2a-YF-8 水素終端Si(100)ステップ表面におけるSi原子拡散
• 5a-B-1 水素終端Si(100)表面上のSi原子拡散の第一原理計算II : 水素原子の及ぼす効果
• 29p-F-13 水素終端Si(100)表面上のSi原子拡散の第一原理計算
• Se δ ドープGaAsの電子構造I : Ga空孔の効果
• 3a-X-12 SeδドープGaAsの電子構造
• 27pPSA-64 Al原子細線の電気伝導特性(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 27pPSA-56 金電極に挟まれた分子の伝導特性(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 27pPSA-50 電極に挟まれたナノ構造の電気伝導特性の第一原理計算(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 27pPSA-57 金属電極に挟まれたベンゼンジチオールの伝導特性に関する理論的研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 水素終端Si表面におけるGe成長の理論
• 19pPSB-5 水素終端Si(001)表面におけるGe原子吸着に対する表面近傍Ge原子の影響
• 23pWA-11 水素終端Si(100)表面上でのGe原子拡散のシミュレーション
• 24pW-13 水素終端Si(100)表面におけるGe原子吸着 : Ge-Siダイマーの形成
• 28a-YM-1 水素終端Si(100)表面におけるGe原子拡散
• 24pCC-9 SiC微傾斜面上グラフェンのステップ端近傍における原子構造と基板への影響評価(24pCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 19aAG-2 SiC中の螺旋転位構造と電子状態(19aAG 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27aXJ-14 ステップのついたSiC(0001)表面上でのグラフェン成長に関する第一原理分子動力学計算(27aXJ 領域7,領域4合同 グラフェン(表面界面・新物質),領域7(分子性固体・有機導体))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク