30p-S-4 水素終端Si(100)表面上でのSi island形成に関する理論的研究
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 1999-03-15
著者
-
橋詰 富博
日立基礎研
-
橋詰 富博
(株)日立製作所基礎研究所
-
大野 隆央
金材技研
-
梶山 博司
日立 基礎研
-
梶山 博司
日立
-
梶山 博司
日立基礎研
-
梶山 博司
(株)日立製作所基礎研究所
-
奈良 純
金材技研
-
奈良 純
物質材料研究機構:東大生産研
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