24aYL-7 bcc Fe中の格子間水素の量子状態
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1999-09-03
著者
-
大野 隆央
金材技研
-
宮崎 剛
金材技研
-
大野 隆央
物材機構:東大生研
-
館山 佳尚
物材機構mana:物材機構環境拠点:jstさきがけ:jst-crest
-
館山 佳尚
金材技研
-
宮崎 剛
物材機構
-
宮崎 剛
東理大理工:物材機構
関連論文
- 20pHT-7 シリコン中多原子空孔の大規模第一原理計算(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 21aHT-1 共鳴内殻励起軟X線照射による単層カーボンナノチューブへの欠陥導入の機構について(21aHT 格子欠陥・ナノ構造(炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 20pGL-4 TiO_2 anatase/水界面の水分子吸着に関する第一原理分子動力学シミュレーション(20pGL 表面ダイナミクス・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pPSA-11 Si(100)表面におけるスチレン分子列間の相互作用(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aGP-1 BigDFTを用いた大規模第一原理計算による表面連鎖重合反応メカニズムの考察(23aGP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aRC-4 DNAの構造と電子状態に対するオーダーN法第一原理計算3(28aRC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 20pVC-14 DNAの構造と電子状態に対するオーダーN法第一原理計算2(20pVC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 22aXK-11 クマリン系色素吸着チタニア表面の構造と電子状態(表面磁性,表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30aRD-11 第一原理MDによるダイヤモンド電極/水溶液界面の構造および電子状態(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSB-40 両面スラブモデルによる固液界面酸化還元反応の第一原理解析(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pWA-11 DNAの構造と電子状態に対するオーダーN法第一原理計算(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 結晶転位の第一原理電子論
- 28pTA-7 Si表面における遷移金属原子の初期反応過程への表面水素化による効果
- 26a-YR-12 H終端Si(001)2×1表面へのTi原子吸着の第一原理的研究
- 第一原理計算による(DI-DCNQI)_2Cuの高圧下における構造と電子状態
- 27p-Y-8 DCNQI系の第一原理電子状態計算
- DCNQI-(Cu,Ag,Li)系金属相に対する第1原理電子状態計算
- 27a-ZM-2 局所スピン密度汎関数近似における自己相互作用補正
- 半導体格子不整合系でのエピタキシー成長とミスフィット転位 : 成長界面III
- SC-8-3 自己組織化量子ドット形成におけるミスフィット転位の影響
- 27p-T-11 Ge/Si(001)ヘテロ界面に生じるミスフィット転位についての第一原理計算
- 19pPSB-34 励起状態グラファイトのE_フォノンに関する理論的研究(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 21pWA-2 DFT/TDDFT計算による励起エネルギー'過大'評価問題(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 25pYK-10 シリコン中原子空孔の大規模第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 21aRB-11 シリコン中単原子空孔の構造に関する第一原理計算(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 30p-S-4 水素終端Si(100)表面上でのSi island形成に関する理論的研究
- 30p-S-3 水素終端Si(100)2x1表面でのSiの吸着拡散過程
- 30pVD-5 ナノダイヤモンドに埋め込まれたMnイオンの電子状態(30pVD X線・軟X線発光・新光源,領域5(光物性))
- 28aPS-20 TDDFTによるspin-polarized系の励起状態ダイナミクス計算(領域11ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 第一原理計算による水素脆性現象の解析
- 27pPSA-38 水素終端Si(001)表面における水素原子の反応性散乱過程の量子論(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 27pPSA-25 Si系の第一原理/強結合ハイブリッド計算(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 25aYP-4 第一原理計算から見た鉄中のクラック形成に対する空孔-水素複合体の効果
- 22pYS-11 量子古典融合手法による脆性破壊のシミュレーション
- 27aXD-2 AFM探針構造のFP/TB/MMハイブリッドシミュレーション(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15aPS-61 複数領域ハイブリッド法の応用 : AFM 探針構造の大規模計算(領域 9)
- 26aWZ-11 シリコン10原子空孔の大規模第一原理計算(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 24aPS-106 金属電極に挟まれた1次元分子列の電気伝導特性(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-102 ファンデルワールス密度汎関数を用いた1次元鎖状有機物質の第一原理計算(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-11 有機自己組織化膜絶縁層とゲート電極界面電子状態(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-17 ナノ電流スイッチに関する理論的研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18pTG-11 スチレン分子列の伝導特性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSB-19 金クラスターのCO酸化触媒活性に関する密度汎関数計算(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-57 自己形成ビスマスナノライン上に成長する銀ナノ構造に関する第一原理計算(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSB-45 ビスマスナノライン上銀吸着構造の第一原理計算(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pTG-4 オーダーN法第一原理計算によるGe/Si(001)3次元構造の安定性に対する研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pWA-12 第一原理手法による圧電物性解析(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 29pXJ-8 Si(001)/SrTiO_3界面のバンド不連続に関する研究(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30pYA-2 第一原理計算によるアモルファスHfAlOの誘電応答解析(30pYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- ゲート絶縁膜材料の誘電率の第一原理計算 : 電子系及び格子系の誘電応答解析(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 12aTJ-7 立方晶 Ce_2O_3 の格子誘電率の第一原理計算(フォノン物性, 領域 10)
- 29pXK-1 Ce酸化物の誘電率の第一原理計算(誘電体)(領域10)
- 3a-PS-47 YBa_2Cu_4O_8のホール係数
- 26aYH-12 分子架橋系の伝導特性に対する分子電極間相互作用の役割(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 29pPSB-15 第一原理計算によるビフェニル分子架橋系の伝導特性(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pXA-12 金電極に挟まれたビフェニル分子の伝導特性 : 分子電極間相互作用の役割(21pXA 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pRJ-5 金電極に挟まれたビフェニル分子の伝導特性 : 接続原子依存性(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20pXB-1 κアルミナ中の水素の存在状態に関する理論的研究(領域10,領域9合同 格子欠陥・ナノ構造(水素ダイナミクス),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 27aXJ-9 Si(111)-(7x7)表面におけるフッ素の複合体拡散現象(27aXJ 表面ダイナミックス(半導体表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
- ナノシミュレーション(すごーく小さいもの)
- 25pWB-1 半導体ナノチューブ構造における励起子の光過程(25pWB 励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
- 22aT-7 F終端Si(001)表面上へのF原子吸着
- 1p-YE-8 Si(001)-2×1表面上のF原子の吸着とSiF_3吸着子の形成
- 24aRA-13 カーボンナノチューブ内の強誘電的液体状の水(24aRA ナノチューブ2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aPS-61 第一原理計算による単分子架橋系の伝導特性 : 非弾性過程(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24aYL-8 第一原理計算からみたbcc Fe中の原子空孔に対する水素効果
- 24aYL-7 bcc Fe中の格子間水素の量子状態
- 26a-YM-2 Al(111)表面への酸素の吸着過程III
- 25p-T-10 III-As半導体中のフッ素原子の拡散過程
- 2a-YF-8 水素終端Si(100)ステップ表面におけるSi原子拡散
- 6a-H-10 Al(111)表面への酸素の吸着過程II
- 5a-B-1 水素終端Si(100)表面上のSi原子拡散の第一原理計算II : 水素原子の及ぼす効果
- 29p-F-13 水素終端Si(100)表面上のSi原子拡散の第一原理計算
- 31a-E-4 GaAs中のハロゲン原子の拡散過程
- Al(001)表面への酸素の吸着過程
- Se δ ドープGaAsの電子構造I : Ga空孔の効果
- 3a-X-12 SeδドープGaAsの電子構造
- 28a-ZA-5 第一原理計算からみたbcc金属中の水素の存在状態
- 23aYH-5 光誘起相転移現象を示すスピンクロスオーバー系の弾性相互作用モデルによる緩和現象の解析(光誘起相転移,他,領域5,領域7合同講演,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22pTQ-7 光誘起相転移現象を示すスピンクロスオーバー系の弾性的相互作用による協力現象の解析(光誘起相転移,領域5,光物性)
- 24pXK-10 電極に挟まれた単分子の伝導特性 : 電子・フォノン相互作用の効果(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aZB-3 光誘起相転移を示すスピンクロスオーバー化合物の二次元弾性体モデルによる体積および圧力変化の解析(光誘起相転移,領域5,光物性)
- 23aRA-4 光誘起相転移を示すスピンクロスオーバー系の弾性体モデルの解析(23aRA 光誘起相転移,領域5(光物性))
- 27aRE-8 弾性体モデルによるスピンクロスオーバー現象の解析と光励起状態からの緩和過程の考察(27aRE 光誘起相転移,領域5(光物性))
- 28a-XB-2 第一原理計算によるM(dmit)_2塩(M=Ni, Pd)におけるダイマー構造の圧力変化
- ナノマテリアルシミュレーションと今後の展開
- 1p-PSA-54 強く二重体化した2バンド系の軌道・磁気秩序
- 1p-YP-5 DCNQI錯体の物性予測
- 31p-YP-12 第一原理計算によるβ-(CH_3)_4N[Pd(dmit)_2]_2の圧力下の構造と電子状態II
- 6p-C-13 第一原理計算によるβ-(CH_3)_4N[Pd(dmit)_2]_2の圧力下の構造と電子状態
- 31a-C-11 (CH_3)_4N[M(dmit)_2]_2 (M=Ni, Pd)に対する第一原理電子状態計算
- 27pTJ-9 シリコン中10原子空孔の電子状態(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22aGQ-9 シリコン中10原子空孔の特異な電子構造(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 23pPSA-32 第一原理計算による磁性電極に挟まれた分子の伝導特性(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aTG-7 カーボンナノチューブ内の水分子構造と水分子モデルの関係(21aTG ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
- GaAs/ErAs界面の原子配置と電子構造
- 27a-N-12 GaAs中のErと複合欠陥
- 23pWA-11 水素終端Si(100)表面上でのGe原子拡散のシミュレーション
- 28a-YM-1 水素終端Si(100)表面におけるGe原子拡散
- 26pCK-10 磁性電極に挟まれたビフェニル分子の伝導特性(26pCK ナノチューブ・ナノワイヤ・表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))