26aWZ-11 シリコン10原子空孔の大規模第一原理計算(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
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概要
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- 2010-08-18
著者
-
居波 哲
金沢大自然
-
斎藤 峯雄
金沢大自然
-
山崎 隆浩
東大生研
-
山本 武範
東大生研
-
大野 隆央
東大生研
-
石井 史之
金沢大自然研
-
山崎 隆浩
東大生研:富士通研
-
石井 史之
金沢大自然
-
居波 哲
金沢大理工
-
石井 史之
金沢大理工
-
大野 隆央
物質材料研究機構:東大生産研
-
大野 隆央
物材機構:東大生研
-
大野 隆央
東大理
-
大野 隆央
金属材料技術研究所
-
大野 隆央
Ntt基礎研究所
-
大野 隆央
物質・材料研究機構計算科学センター
-
大野 隆央
東京大学生産技術研究所
-
山本 武範
東大生研:東邦大理
-
山本 武範
東邦大理:東大生研
-
大野 隆央
物材機構:jst-crest
-
斎藤 峯雄
金沢大理工:東大生研
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