大野 隆央 | 物質・材料研究機構計算科学センター
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概要
関連著者
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大野 隆央
物質・材料研究機構計算科学センター
-
大野 隆央
金属材料技術研究所
-
大野 隆央
物材機構:東大生研
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大野 隆央
物質材料研究機構:東大生産研
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大野 隆央
東大理
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大野 隆央
Ntt基礎研究所
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大野 隆央
東京大学生産技術研究所
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大野 隆央
物材機構:jst-crest
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大野 隆央
物材機構
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大野 隆央
物材機構(NIMS)計算材料セ
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近藤 恒
東大生研
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奈良 純
物質材料研究機構:東大生産研
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大野 隆央
東大生研
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山崎 隆浩
東大生研:富士通研
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近藤 恒
物質材料研究機構:東大生産研
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山本 武範
東大生研:東邦大理
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山本 武範
東邦大理:東大生研
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斎藤 峯雄
金沢大理工:東大生研
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斎藤 峯雄
金沢大自然
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山崎 隆浩
東大生研
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山本 武範
東大生研
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奈良 純
物材機構(NIMS)計算材料セ
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大野 隆央
物質・材料研究機構
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居波 哲
金沢大理工
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奈良 純
物材機構
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居波 哲
金沢大自然
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斎藤 峯雄
金沢大理工
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宮崎 剛
物質・材料研究機構
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石井 史之
金沢大自然
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石井 史之
金沢大理工
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宮崎 剛
物材機構
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宮崎 剛
東理大理工:物材機構
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押山 淳
東大院工
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内田 和之
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
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大塚 教雄
物材機構計算科学セ
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宮崎 剛
物材機構計算科学セ
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大野 隆央
物材機構計算科学セ
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Bowler David
ユニバーシティーカレッジロンドン
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Gillan Michael
ユニバーシティーカレッジロンドン
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小田 将人
和歌山大シス工
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奈良 純
物質材料研究機構
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大野 隆央
物質材料研究機構
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木野 日織
物材機構
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籾田 浩義
物質・材料研究機構
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籾田 浩義
物質・材料研究機構計算科学センター
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籾田 浩義
東京大学生産技術研究所
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中村 美道
東大生研
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小田 将人
和歌山大学大学院システム工学研究科
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中村 美道
物材機構
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内田 和之
東大院工
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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野中 源一郎
九州大学薬学部
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石井 史之
金沢大自然研
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長尾 忠昭
物材機構
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柳沼 晋
物材機構
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小西 優祐
物構研
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西野 正理
物材機構
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Boukheddaden K.
Versailles大
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Varret F.
Versailles大
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森川 良忠
産業技術総合研究所
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常行 真司
東大院理
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宮下 精二
東大理
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小田 将人
和歌山大学システム工学部
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常行 真司
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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常行 真司
東京大学大学院理学系研究科
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森川 良忠
産業技術総合研究所計算科学研究部門
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福谷 克之
東京大学生産技術研究所
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近藤 恒
物質材料研究機構
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宮下 精二
東大理:crest
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Bowler D.
University College London
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中山 恒義
北大院工
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森川 良忠
産総研
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藤川 安仁
東北大金研
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桜井 利夫
東北大wpi
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長谷川 修司
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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藤川 安仁
東北大学金属材料研究所
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櫻井 利夫
東北大学金属材料研究所
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中山 隆史
千葉大理
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館山 佳尚
物質・材料研究機構
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山崎 隆浩
富士通研究所
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Sadowski J.
東北大金研
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山本 武範
東邦大理
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大野 隆央
NIMS
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斉藤 峯雄
物質・材料研究機構計算材料科学研究センター
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中山 隆史
千葉大学理学部
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宮下 精二
東大・工・物工
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宮下 精二
京都大学・人間環境学研究科
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館山 佳尚
物材機構mana:物材機構環境拠点:jstさきがけ:jst-crest
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長尾 忠昭
東北大学金属材料研究所
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柳沼 晋
東北大学金属材料研究所
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SADOWSKI J.
東北大学金属材料研究所
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中山 隆史
千葉大
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中山 隆史
千葉大学
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森川 良忠
産業技術総合研 計算科学研究部門
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相澤 秀昭
物材機構
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相澤 秀昭
物質・材料研究機構計算材料科学研究センター
-
櫻井 利夫
東北大学際センター
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小田 将人
和歌山大学
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Gillan M.
University College London
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長尾 忠昭
物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
-
近藤 恒
物材機構
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小野 裕己
東大生研
-
小西 優祐
東大理
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Varret F.
分子研
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柳 沼晋
物材機構ナノマテ研:筑波大院数物
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西野 正理
物材機構:jst-crest
-
中山 隆史
干葉大理
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長谷川 修司
東京大学大学院理学研究科
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宮下 精二
東大理:crest-jst
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山崎 隆浩
富士通研
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常行 真司
東京大学大学院 理学系研究科物理学専攻
著作論文
- 20pHT-7 シリコン中多原子空孔の大規模第一原理計算(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 21pPSA-11 Si(100)表面におけるスチレン分子列間の相互作用(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aRC-4 DNAの構造と電子状態に対するオーダーN法第一原理計算3(28aRC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 20pVC-14 DNAの構造と電子状態に対するオーダーN法第一原理計算2(20pVC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 22aXK-11 クマリン系色素吸着チタニア表面の構造と電子状態(表面磁性,表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19pPSB-34 励起状態グラファイトのE_フォノンに関する理論的研究(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 25pYK-10 シリコン中原子空孔の大規模第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 21aRB-11 シリコン中単原子空孔の構造に関する第一原理計算(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- シリコン表面上の半金属Bi超薄膜の同素変態
- 26aWZ-11 シリコン10原子空孔の大規模第一原理計算(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 24aPS-106 金属電極に挟まれた1次元分子列の電気伝導特性(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-102 ファンデルワールス密度汎関数を用いた1次元鎖状有機物質の第一原理計算(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- Pt(111)表面に吸着したNO分子の振動スペクトル : 第一原理計算による解析
- 22pPSA-11 有機自己組織化膜絶縁層とゲート電極界面電子状態(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pTG-4 オーダーN法第一原理計算によるGe/Si(001)3次元構造の安定性に対する研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26aYH-12 分子架橋系の伝導特性に対する分子電極間相互作用の役割(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 29pPSB-15 第一原理計算によるビフェニル分子架橋系の伝導特性(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pXA-12 金電極に挟まれたビフェニル分子の伝導特性 : 分子電極間相互作用の役割(21pXA 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pRJ-5 金電極に挟まれたビフェニル分子の伝導特性 : 接続原子依存性(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- シリコン表面の水素終端化に対する第一原理解析
- 水素終端シリコン表面におけるゲルマニウム吸着原子の挙動 : 第一原理シミュレーションによる解析
- 24aRA-13 カーボンナノチューブ内の強誘電的液体状の水(24aRA ナノチューブ2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aYH-5 光誘起相転移現象を示すスピンクロスオーバー系の弾性相互作用モデルによる緩和現象の解析(光誘起相転移,他,領域5,領域7合同講演,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 27pTJ-9 シリコン中10原子空孔の電子状態(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22aGQ-9 シリコン中10原子空孔の特異な電子構造(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 23pPSA-32 第一原理計算による磁性電極に挟まれた分子の伝導特性(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aTG-7 カーボンナノチューブ内の水分子構造と水分子モデルの関係(21aTG ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))