山本 武範 | 東大生研
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概要
関連著者
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山本 武範
東大生研
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大野 隆央
物材機構:東大生研
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山本 武範
東大生研:東邦大理
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山本 武範
東邦大理:東大生研
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大野 隆央
東大生研
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山崎 隆浩
東大生研
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山崎 隆浩
東大生研:富士通研
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居波 哲
金沢大理工
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大野 隆央
物質材料研究機構:東大生産研
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大野 隆央
東大理
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大野 隆央
金属材料技術研究所
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大野 隆央
Ntt基礎研究所
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大野 隆央
物質・材料研究機構計算科学センター
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大野 隆央
東京大学生産技術研究所
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大野 隆央
物材機構:jst-crest
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斎藤 峯雄
金沢大理工:東大生研
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斎藤 峯雄
金沢大自然
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居波 哲
金沢大自然
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石井 史之
金沢大自然
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石井 史之
金沢大理工
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押山 淳
東大院工
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内田 和之
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
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斎藤 峯雄
金沢大理工
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籾田 浩義
物質・材料研究機構
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濱田 智之
東大生研
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籾田 浩義
物質・材料研究機構計算科学センター
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籾田 浩義
東京大学生産技術研究所
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宇田 毅
アドバンスソフト
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籾田 浩義
東大生研
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内田 和之
東大院工
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宇田 毅
(株)ASMS
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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野中 源一郎
九州大学薬学部
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石井 史之
金沢大自然研
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宇田 毅
アドバンスソフト株式会社第2部
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大野 隆央
物材機構(NIMS)計算材料セ
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宇田 毅
日立基礎研
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大野 隆央
物材機構
著作論文
- 20pHT-7 シリコン中多原子空孔の大規模第一原理計算(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 25pYK-10 シリコン中原子空孔の大規模第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 26aWZ-11 シリコン10原子空孔の大規模第一原理計算(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 12aTJ-7 立方晶 Ce_2O_3 の格子誘電率の第一原理計算(フォノン物性, 領域 10)
- 29pXK-1 Ce酸化物の誘電率の第一原理計算(誘電体)(領域10)
- 27pTJ-9 シリコン中10原子空孔の電子状態(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22aGQ-9 シリコン中10原子空孔の特異な電子構造(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))