籾田 浩義 | 物質・材料研究機構計算科学センター
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
籾田 浩義
物質・材料研究機構
-
大野 隆央
物材機構:東大生研
-
籾田 浩義
物質・材料研究機構計算科学センター
-
籾田 浩義
東京大学生産技術研究所
-
濱田 智之
東大生研
-
宇田 毅
アドバンスソフト
-
山本 武範
東大生研:東邦大理
-
山本 武範
東邦大理:東大生研
-
宇田 毅
(株)ASMS
-
宇田 毅
アドバンスソフト株式会社第2部
-
大野 隆央
物材機構(NIMS)計算材料セ
-
大野 隆央
物材機構
-
大野 隆央
金属材料技術研究所
-
山本 武範
アドバンスソフト
-
籾田 浩義
東大生研
-
山本 武範
東大生研
-
大野 隆央
物質・材料研究機構
-
大野 隆央
物質・材料研究機構計算科学センター
-
大野 隆央
東大生研
-
館山 佳尚
物質・材料研究機構
-
宇田 毅
日立基礎研
-
山本 武範
東邦大理
-
高木 祥光
筑波大計科セ:crest
-
館山 佳尚
物材機構mana:物材機構環境拠点:jstさきがけ:jst-crest
-
大野 隆央
独立行政法人 物質･材料研究機構計算材料科学研究センタｰ
-
籾田 浩義
物材機構
-
籾田 浩義
東大生産研
-
濱田 智之
東大生産研
-
高木 祥光
東大生産研
-
濱田 智之
東京大学生産技術研究所
著作論文
- 22aXK-11 クマリン系色素吸着チタニア表面の構造と電子状態(表面磁性,表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19pPSB-34 励起状態グラファイトのE_フォノンに関する理論的研究(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 21pWA-12 第一原理手法による圧電物性解析(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 29pXJ-8 Si(001)/SrTiO_3界面のバンド不連続に関する研究(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30pYA-2 第一原理計算によるアモルファスHfAlOの誘電応答解析(30pYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- ゲート絶縁膜材料の誘電率の第一原理計算 : 電子系及び格子系の誘電応答解析(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 12aTJ-7 立方晶 Ce_2O_3 の格子誘電率の第一原理計算(フォノン物性, 領域 10)
- 29pXK-1 Ce酸化物の誘電率の第一原理計算(誘電体)(領域10)