宇田 毅 | (株)ASMS
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概要
関連著者
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宇田 毅
(株)ASMS
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宇田 毅
アドバンスソフト
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大野 隆央
物材機構:東大生研
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大野 隆央
物材機構
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宇田 毅
アドバンスソフト株式会社第2部
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籾田 浩義
物質・材料研究機構
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濱田 智之
東大生研
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籾田 浩義
物質・材料研究機構計算科学センター
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籾田 浩義
東京大学生産技術研究所
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山本 武範
東大生研:東邦大理
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山本 武範
東邦大理:東大生研
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大野 隆央
物材機構(NIMS)計算材料セ
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山崎 隆浩
富士通研究所
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内山 登志弘
産業技術融合領域研究所アトムテクノロジー研究体
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山崎 隆浩
富士通研
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大野 隆央
東大生研
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寺倉 清之
北陸先端大融合院
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宇田 毅
日立基礎研
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高木 祥光
筑波大計科セ:crest
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中村 美道
東大生研
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高橋 憲彦
物材機構:科技構
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山崎 隆浩
株式会社富士通研究所
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加藤 弘一
(株)東芝研究開発センター新機能材料・デバイスラボラトリー
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金田 千穂子
富士通研
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金田 千穂子
富士通研究所
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宇田 毅
アトムテクノロジー研究所オングストロームテクノロジ研究機構
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宇田 毅
JRCAT-ATP
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高橋 憲彦
物材機構
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高木 祥光
東大生研
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宇田 毅
アトムテクノロジー研究体
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山本 武範
アドバンスソフト
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籾田 浩義
東大生研
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宇田 毅
JRCAT
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山本 武範
東大生研
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館山 佳尚
物材機構MANA
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平家 誠嗣
株式会社日立製作所基礎研究所
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橋詰 富博
東北大WPI-AIMR
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梶山 博司
日立 基礎研
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寺倉 清之
アトムテクノロジー研究体産業技術融合領域研究所
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内山 登志弘
JRCAT-ATP
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梶山 博司
(株)日立製作所基礎研究所
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館山 佳尚
物材機構mana:物材機構環境拠点:jstさきがけ:jst-crest
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宇田 毅
東大生研
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Ke S.
アトムテクノロジー研究体
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奈良 純
物質材料研究機構:東大生産研
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平家 誠嗣
日立中研
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Ke S.
アトムテクノロジー研究体オングストロームテクノロジ研究機構
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奈良 純
物材機構
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館山 佳尚
物材機構 計算材料科学研究センター
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森川 良忠
阪大産研
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寺倉 清之
北陸先端大
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紺谷 浩
東大物性研
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諏訪 雄二
日立基礎研
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平家 誠嗣
日立基礎研
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橋詰 富博
日立基礎研
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橋詰 富博
(株)日立製作所基礎研究所
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大野 隆央
物材機構計算科学セ
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福山 秀俊
東京大学物性研究所:アウグスブルグ大:jrcat
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甲賀 淳一朗
慶大理工
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奈良 純
物材機構(NIMS)計算材料セ
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寺倉 清之
産総研:北陸先端大
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寺倉 清之
Jrcat
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木野 日織
物材機構
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梶山 博司
日立
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内山 登志弘
アトムテクノロジー研究所オングストロームテクノロジ研究機構
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内山 登志弘
JACAT-ATP
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宇田 毅
JACAT-ATP
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寺倉 清之
JACAT-NAIR
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山本 武範
東邦大理
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平家 誠嗣
(株)日立製作所基礎研究所
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宇田 毅
産業技術融合領域研究所アトムテクノロジー研究体
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加藤 弘一
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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大野 隆央
金属材料技術研究所
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寺倉 清之
東京大学物性研究所
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木野 日織
東京大学物性研究所
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紺谷 浩
東京大学物性研究所
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森川 良忠
東京大学物性研究所
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宇田 毅
東京大学物性研究所
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加藤 弘一
東芝研開C
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梶山 博司
日立日立研
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新田 仁
富士総研
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西川 宜孝
富士総研
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大野 隆央
独立行政法人 物質・材料研究機構計算材料科学研究センター
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高橋 憲彦
ACT-JST
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松浦 志のぶ
東大工
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宇田 毅
アトムテクノロジー研究体オングストロームテクノロジ研究機構
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加藤 弘一
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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加藤 弘一
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボ
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籾田 浩義
物材機構
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籾田 浩義
東大生産研
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濱田 智之
東大生産研
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高木 祥光
東大生産研
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濱田 智之
東京大学生産技術研究所
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山崎 隆浩
富士通研究所基盤技術研究所
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紺谷 浩
東京大学物性研究所:アウグスブルグ大:jrcat
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加藤 弘一
東芝研開セ
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橋詰 富博
(株)日立製作所中央研究所
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甲賀 淳一朗
(株)ASMS
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黒田 義明
理研
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南 一生
理研
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山崎 隆浩
物材機構
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加藤 弘一
東芝R&Dセンター
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中崎 靖
東芝研開セ
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内山 登志弘
JRCAT
著作論文
- Si/SiO_2界面の構造と電子状態
- 26pYL-5 Si(100)/SiO_2界面欠陥の電子状態
- 26aPS-8 Sio_2/Si(001)界面の電子構造
- シリコン表面の未結合ボンドでの初期酸化反応
- 24aPS-6 Phase Transitions and Electronic Structures on Si(100)
- Si(100)表面初期酸化における層状成長とP_欠陥生成
- 24pW-17 水素終端シリコン表面のダングリングボンドでの酸化過程
- 27pPSA-38 水素終端Si(001)表面における水素原子の反応性散乱過程の量子論(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 27pPSA-25 Si系の第一原理/強結合ハイブリッド計算(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 27aXD-2 AFM探針構造のFP/TB/MMハイブリッドシミュレーション(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15aPS-61 複数領域ハイブリッド法の応用 : AFM 探針構造の大規模計算(領域 9)
- 31aWD-5 水素終端 Si 表面におけるドーバントペア構造の量子効果
- 21pWA-12 第一原理手法による圧電物性解析(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 29pXJ-8 Si(001)/SrTiO_3界面のバンド不連続に関する研究(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30pYA-2 第一原理計算によるアモルファスHfAlOの誘電応答解析(30pYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- ゲート絶縁膜材料の誘電率の第一原理計算 : 電子系及び格子系の誘電応答解析(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 12aTJ-7 立方晶 Ce_2O_3 の格子誘電率の第一原理計算(フォノン物性, 領域 10)
- 29pXK-1 Ce酸化物の誘電率の第一原理計算(誘電体)(領域10)
- 24pZN-4 AFM像におよぼす探針先端構造効果
- 非接触原子間力顕微鏡の理論
- 19aAG-2 SiC中の螺旋転位構造と電子状態(19aAG 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26pJB-8 Si(110)-(16×2)表面五員環構造の起源(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aWD-11 NOによるSi(100)の酸窒化反応過程(25aWD 結晶成長,表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長分野))