加藤 弘一 | 東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

スポンサーリンク

概要

• 加藤 弘一の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリーの論文著者

関連著者

• 加藤 弘一

  東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 加藤 弘一

  東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボ

• 松下 大介

  東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 村岡 浩一

  東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 村岡 浩一

  (株)東芝 研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 中崎 靖

  東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 加藤 弘一

  (株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 中崎 靖

  (株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 加藤 弘一

  (株)東芝研究開発センター新機能材料・デバイスラボラトリー

• 宇田 毅

  アドバンスソフト株式会社第2部

• 山崎 隆浩

  富士通研究所

• 佐久間 究

  東芝

• 三谷 祐一郎

  東芝

• 加藤 弘一

  東芝基礎研

• 村岡 浩一

  東芝 Lsi基盤技術ラボラトリー

• 宇田 毅

  アドバンスソフト

• 三谷 祐一郎

  芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 山崎 隆浩

  富士通研究所基盤技術研究所

• 中崎 靖

  (株)東芝

• 中崎 靖

  東芝

• 宇田 毅

  (株)ASMS

• 三谷 祐一郎

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 加藤 弘一

  東芝R&Dセンター

• 加藤 弘一

  東芝R&Dセンター

もっと見る 閉じる

著作論文

• 窒素の強凝集によるSi(100)窒化膜形成機構
• 高窒素濃度SiON膜のNBTI特性とその窒素起因の劣化メカニズム
• Si(100)表面初期酸化における層状成長とP_欠陥生成
• 23pRJ-3 第一原理計算によるSiON膜のデザインと実現(実在表面・機能表面の物理,シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 第一原理計算によるSi表面酸化過程の考察

スポンサーリンク