窒素の強凝集によるSi(100)窒化膜形成機構
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概要
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We studied N condensation behaviors in crystalline Si. N atoms introduced rapidly on Si(100) generate SiN agglomerated structures. We found that this agglomeration is induced by charge transfer between Si and N atoms, which is much stronger than those of silicon oxidation. N atoms introduced slowly on Si(100), however, stay at around the third layer from the topmost surface, leading likely to a stable Si-N network layer at around the same layer. This layer can be a seed layer for layer-by-layer Si3N4 growth on Si(100) along the vertical direction to the surface. Agglomeration and uniform growth of Si3N4 growth have been clearly observed by experimental techniques.
- 日本真空協会の論文
- 2007-11-20
著者
-
松下 大介
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
村岡 浩一
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
村岡 浩一
(株)東芝 研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
加藤 弘一
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
中崎 靖
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
加藤 弘一
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
加藤 弘一
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボ
-
中崎 靖
(株)東芝
-
中崎 靖
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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