低誘電率膜中の炭素種に対するプラズマプロセスの影響 (特集 プラズマが誘起する表面反応)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 日本表面科学会の論文

著者

• 栗原 一彰

  (株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 中崎 靖

  (株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

関連論文

• 窒素高濃度極薄SiON膜のV_改善メカニズム(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 窒素の強凝集によるSi(100)窒化膜形成機構
• 高窒素濃度SiON膜のNBTI特性とその窒素起因の劣化メカニズム
• 次世代極薄ゲート酸窒化膜形成技術
• 低Hf濃度キャップ層(Hf=6%)形成によるHfSiONゲート絶縁膜の電気特性および信頼性向上とそのメカニズム
• 高アスペクト比コンタクトホール加工における SiO_2/Si_3N_4 選択エッチング特性
• 低誘電率膜中の炭素種に対するプラズマプロセスの影響
• 低誘電率膜中の炭素種に対するプラズマプロセスの影響 (特集 プラズマが誘起する表面反応)

スポンサーリンク