次世代極薄ゲート酸窒化膜形成技術
スポンサーリンク
概要
著者
-
松下 大介
(株)東芝研究開発センター
-
村岡 浩一
(株)東芝研究開発センター
-
高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
加藤 弘一
(株)東芝研究開発センター新機能材料・デバイスラボラトリー
-
松下 大介
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
村岡 浩一
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
村岡 浩一
(株)東芝 研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
江口 和弘
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
中崎 靖
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
中崎 靖
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
犬宮 誠治
(株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター
-
江口 和弘
半導体理工学センター(STARC)
-
加藤 弘一
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
江口 和弘
(株)東芝
-
中崎 靖
(株)東芝
-
中崎 靖
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
関連論文
- hp22 nm Node Low Operating Power(LOP)向けSub-10nmゲートCMOS技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 14nmゲートCMOS技術 : poly-SiGe ゲート電極、及びNiSiを用いた低温プロセスによる性能向上
- 極薄膜NO Oxynitrideゲート絶縁膜とNi SALICIDEプロセスを用いた高性能35nmゲート長CMOS
- 窒素高濃度極薄SiON膜のV_改善メカニズム(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 低消費電力LSI用HfSiON-CMOSFET実用化技術(Advanced ULSI Technology, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とT_スケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 高濃度に窒化されたゲート絶縁膜を有するMOSFETのアナログ特性
- ED2000-134 / SDM2000-116 / ICD-2000-70 SbとInの高角度ハローイオン注入による80nmゲート長CMOSの実現
- ED2000-134 / SDM2000-116 / ICD2000-70 SbとInの高角度ハローイオン注入による80nmゲート長CMOSの実現
- LaAlO/Si基板界面への1原子層SrSi_2挿入による界面電気特性改善効果の実証(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- ED2000-138 / SDM2000-120 / ICD-2000-74 ダマシンメタルゲートトランジスタ技術 : しきい値バラツキの低減とソースドレインサリサイドのインテグレーション
- ED2000-138 / SDM2000-120 / ICD2000-74 ダマシンメタルゲートトランジスタ技術 : しきい値バラツキの低減とソースドレインサリサイドのインテグレーション
- プラズマ窒化プロセスを用いた極薄ゲート絶縁膜形成における反応メカニズムの考察とさらなる薄膜化の検討
- シリコン表面の未結合ボンドでの初期酸化反応
- 3次元プロセスデバイスシミュレーションによるBulk-FinFETの駆動電流の改善(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmの CMOS FinFET のプロセスインテグレーション技術とデバイス特性
- バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmのCMOS FinFETのプロセスインテグレーション技術とデバイス特性(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 窒素の強凝集によるSi(100)窒化膜形成機構
- 高窒素濃度SiON膜のNBTI特性とその窒素起因の劣化メカニズム
- 次世代極薄ゲート酸窒化膜形成技術
- 次世代極薄ゲートシリコン酸窒化膜の実現
- hp22 nm Node Low Operating Power(LOP)向けSub-10nmゲートCMOS技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とT_スケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 不純物偏析Schottkyソース/ドレインを用いた高性能FinFET(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 不純物偏析 Schottky ソース/ドレインを用いた高性能FinFET
- 3次元プロセスデバイスシミュレーションによるBulk-FinFETの駆動電流の改善(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- hp32nmノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk-FinFETで構成されたSRAM技術について(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- hp32nmノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk-FinFETで構成されたSRAM技術について(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- Si(100)表面初期酸化における層状成長とP_欠陥生成
- 24pW-17 水素終端シリコン表面のダングリングボンドでの酸化過程
- 30p-S-2 水素終端Si(100)2x1表面のダングリングボンドでの酸化構造(実験)
- 30p-S-1 水素終端シリコン表面のダングリングボンドでの酸化構造(理論)
- Si表面の酸化素過程の理論
- シリコン表面酸化の様子をシミュレーションする
- 6a-B-10 Si(100)表面の無障壁酸化
- Si(100)面の酸化反応における等温及び断熱遷移過程
- 3a-K-9 スピン分極GGAによるSi(100)面の初期酸化過程の解析II
- 30a-PS-8 スピン分極GGAによるSi(001)面の初期酸化過程の解析
- ED2000-134 / SDM2000-116 / ICD2000-70 SbとInの高角度ハローイオン注入による80nmゲート長CMOSの実現
- 低待機時電力HfSiON-CMOSFET技術(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- Mixed Signal CMOS用HfSiONゲート絶縁膜の最適化(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- Mixed Signal CMOS用HfSiONゲート絶縁膜の最適化(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- HfSiONゲート絶縁膜のヒステリシスに寄与するトラップの解析(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- HfSiONゲート絶縁膜CMOSの性能と信頼性におけるHf濃度の影響
- HfSiON-CMOSFETの高性能・高信頼性に向けたHf濃度の指針(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 65nmノード世代に向けたHigh-kゲート絶縁膜(HfSiON)のCMOSFET設計(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 65nmノード世代に向けたHigh-kゲート絶縁膜(HfSiON)のCMOSFET設計(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- プラズマ酸化とプラズマ窒化を用いた、低消費電力CMOSデバイス向けHfSiONゲート絶縁膜の形成(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 最先端リソグラフィー技術と Gate-first MG/HK プロセス技術を用いたコスト競争力のある32nm世代 CMOS Platform Technology
- HfSiONの熱活性型破壊モデル(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- ゲートリークの救世主、それはHigh-k!(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- ゲートリークの救世主、それはHigh-k!(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- ED2000-138 / SDM2000-120 / ICD2000-74 ダマシンメタルゲートトランジスタ技術 : しきい値バラツキの低減とソースドレインサリサイドのインテグレーション
- 濃度勾配法による量子効果を導入したデバイス・シミュレーション
- 濃度勾配法による量子効果を導入したデバイス・シミュレーション
- 高濃度に窒化されたゲート絶縁膜を有するMOSFETのアナログ特性
- 極微細TaC_x/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaC_x組成の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 低消費電力LSI用HfSiON-CMOSFET実用化技術(Advanced ULSI Technology, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- CMOS回路の低電圧化はどうすすめるべきか(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- CMOS回路の低電圧化はどうすすめるべきか(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- HfSiO(N)膜の欠陥生成と絶縁破壊機構(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- LaまたはAl添加によるHfSiON/SiO_2界面のダイポール変調に起因する移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 極微細TaC_x/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaC_x組成の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 低速陽電子ビームを用いたCu/low-k配線構造中の欠陥検出(配線・実装技術と関連材料技術)
- 第一原理計算に基づいた包括的移動度モデリングとMOSFET界面エンジニアリングへの適用(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 28a-K-3 無水HFガスによるin-situ自然酸化膜エッチング機構
- HfSiON高誘電率ゲート絶縁膜技術
- プラズマ窒化を用いた低消費電力CMOS用高移動度・低リーク電流Poly-Si/HfSiONゲートスタックの形成(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 低誘電率F添加SiO_2膜CVD技術
- 高性能トランジスタ技術 (特集 半導体プロセス技術)
- 低Hf濃度キャップ層(Hf=6%)形成によるHfSiONゲート絶縁膜の電気特性および信頼性向上とそのメカニズム
- ヘリウム一貫プロセスによる poly-Si/high-κ 絶縁膜/SiO_2/Si構造のシリサイド化抑制
- TEOSとtert-butoxideを用いたZr/Hfシリケイト薄膜の熱CVD
- 低誘電率膜中の炭素種に対するプラズマプロセスの影響
- 低誘電率膜中の炭素種に対するプラズマプロセスの影響 (特集 プラズマが誘起する表面反応)
- 22nm世代システムLSIに向けたhigh-k/メタルゲートデバイス技術
- CVD法によるDRAMキャパシタ用(Ba,Sr)TiO_3薄膜の形成
- 15p-DJ-3 Si表面上のハロゲン原子によるダイナミクス
- 27a-ZG-20 Si中の格子間原子による不純物拡散機構
- 29p-K-10 第一原理分子動力学法による格子間Si原子の熱拡散過程
- 低速陽電子ビームを用いたCu/low-k配線構造中の欠陥検出
- 高誘電体と強誘電体
- 半導体の表面研磨(MCPとCMP)
- Flashメモリ : その動作原理と最新開発動向(記録媒体、一般)