HfSiON高誘電率ゲート絶縁膜技術
スポンサーリンク
概要
著者
-
山口 豪
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
綱島 祥隆
(株)東芝 セミコンダクター社
-
金子 明生
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
江口 和弘
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
犬宮 誠治
(株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター
-
綱島 祥隆
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
佐藤 基之
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体プロセス開発第四部
-
佐藤 基之
東芝 セミコンダクター社
-
関根 克行
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
関根 克行
東芝 セミコンダクター社
-
平野 泉
(株)東芝研究開発センター
-
犬宮 誠治
東芝
-
江口 和弘
半導体理工学センター(STARC)
-
金子 明生
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
-
山口 豪
(株)東芝 研究開発センター
-
江口 和弘
(株)東芝
-
綱島 祥隆
(株)東芝
関連論文
- 窒素高濃度極薄SiON膜のV_改善メカニズム(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とT_スケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- LaAlO/Si基板界面への1原子層SrSi_2挿入による界面電気特性改善効果の実証(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- ED2000-138 / SDM2000-120 / ICD-2000-74 ダマシンメタルゲートトランジスタ技術 : しきい値バラツキの低減とソースドレインサリサイドのインテグレーション
- ED2000-138 / SDM2000-120 / ICD2000-74 ダマシンメタルゲートトランジスタ技術 : しきい値バラツキの低減とソースドレインサリサイドのインテグレーション
- SOI/Bulkハイブリッド基板を用いた高性能SoC実現のためのDRAM混載技術
- SON-MOSFETの作製とULSIへの応用
- プラズマ窒化プロセスを用いた極薄ゲート絶縁膜形成における反応メカニズムの考察とさらなる薄膜化の検討
- ESS技術を用いたSON-MOSFETの作成
- シリコンの表面マイグレーションを利用した新しい基板エンジニアリング 〜ESS(Empty Space in Siliton) による大面積 SON(Silicon on Nothing)の形成〜
- シリコンの表面マイグレーションを利用した大面積SON(Silicon on Noting)の形成
- ED2000-131 / SDM2000-113 / ICD-2000-67 シリコンの表面マイグレーションを用いたSON(Silicon on Nothing)構造の形成技術
- ED2000-131 / SDM2000-113 / ICD2000-67 シリコンの表面マイグレーションを用いたSON(Silicon on Nothing)構造の形成技術
- 3次元プロセスデバイスシミュレーションによるBulk-FinFETの駆動電流の改善(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmの CMOS FinFET のプロセスインテグレーション技術とデバイス特性
- バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmのCMOS FinFETのプロセスインテグレーション技術とデバイス特性(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 次世代極薄ゲート酸窒化膜形成技術
- サブ100nm向けエレベートソース・ドレイン構造の設計指針
- 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とT_スケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 32nmノード以降に向けたFinFET SRAMセルのDC特性ばらつき(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- CT-1-3 22nm世代に向けたFinFET SRAM技術(CT-1.10nm世代に向けた新LSI技術,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
- 不純物偏析Schottkyソース/ドレインを用いた高性能FinFET(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 不純物偏析 Schottky ソース/ドレインを用いた高性能FinFET
- 3次元プロセスデバイスシミュレーションによるBulk-FinFETの駆動電流の改善(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- hp32nmノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk-FinFETで構成されたSRAM技術について(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- hp32nmノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk-FinFETで構成されたSRAM技術について(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- SOI/Bulkハイブリッド基板を用いた高性能SoC実現のためのDRAM混載技術
- SON-MOSFETの作製とULSIへの応用
- ED2000-131 / SDM2000-113 / ICD2000-67 シリコンの表面マイグレーションを用いたSON(Silicon on Nothing)構造の形成技術
- サブ100nm向けエレベートソース・ドレイン構造の設計指針
- テトラクロロシラン-シリコン窒化膜によるボロン突き抜けの抑制および高性能デュアルゲートDRAMの実現
- テトラクロロシラン-シリコン窒化膜によるボロン突き抜けの抑制および高性能デュアルゲートDRAMの実現
- 酸化剤濃度コントロールSOMによるレジスト剥離技術
- 低待機時電力HfSiON-CMOSFET技術(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- HfSiON-CMOSFETの高性能・高信頼性に向けたHf濃度の指針(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 65nmノード世代に向けたHigh-kゲート絶縁膜(HfSiON)のCMOSFET設計(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 65nmノード世代に向けたHigh-kゲート絶縁膜(HfSiON)のCMOSFET設計(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- プラズマ酸化とプラズマ窒化を用いた、低消費電力CMOSデバイス向けHfSiONゲート絶縁膜の形成(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 最先端リソグラフィー技術と Gate-first MG/HK プロセス技術を用いたコスト競争力のある32nm世代 CMOS Platform Technology
- HfSiONその高耐熱性に基づくhigh-kゲート絶縁膜としての期待と残された課題(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- HfSiONその高耐熱性に基づくhigh-kゲート絶縁膜としての期待と残された課題(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- HfSiONの熱活性型破壊モデル(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- ED2000-138 / SDM2000-120 / ICD2000-74 ダマシンメタルゲートトランジスタ技術 : しきい値バラツキの低減とソースドレインサリサイドのインテグレーション
- 極微細TaC_x/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaC_x組成の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- HfSiO(N)膜の欠陥生成と絶縁破壊機構(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- LaまたはAl添加によるHfSiON/SiO_2界面のダイポール変調に起因する移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 極微細TaC_x/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaC_x組成の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 低速陽電子ビームを用いたCu/low-k配線構造中の欠陥検出(配線・実装技術と関連材料技術)
- 32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化(デバイス,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化(デバイス, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 界面物理現象理解に基づいたNi-FUSI/SiON及びHfSiON界面の実効仕事関数制御技術
- 先端LSIに向けた直接接合極薄ランタンアルミネートゲート絶縁膜
- ランタンアルミネート直接接合ゲート絶縁膜
- HfSiOxのBTIに対する窒素添加効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- HfSiON高誘電率ゲート絶縁膜技術
- プラズマ窒化を用いた低消費電力CMOS用高移動度・低リーク電流Poly-Si/HfSiONゲートスタックの形成(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 高性能トランジスタ技術 (特集 半導体プロセス技術)
- 低Hf濃度キャップ層(Hf=6%)形成によるHfSiONゲート絶縁膜の電気特性および信頼性向上とそのメカニズム
- TEOSとtert-butoxideを用いたZr/Hfシリケイト薄膜の熱CVD
- 次世代高誘電率ゲート絶縁膜HfSiONのしきい値劣化機構と寿命予測技術
- 先端LSIに向けた直接接合極薄ランタンアルミネートゲート絶縁膜 (特集:酸化物界面の電子状態・構造)
- Hf-シリケート高誘電体ゲート絶縁膜の絶縁破壊機構
- 22nm世代システムLSIに向けたhigh-k/メタルゲートデバイス技術
- CVD法によるDRAMキャパシタ用(Ba,Sr)TiO_3薄膜の形成
- 低速陽電子ビームを用いたCu/low-k配線構造中の欠陥検出
- 高誘電体と強誘電体
- 半導体の表面研磨(MCPとCMP)
- ランダム・テレグラフ・ノイズを引き起こす欠陥の種類とその特性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)