佐藤 基之 | (株)東芝 セミコンダクター社 半導体プロセス開発第四部
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
佐藤 基之
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体プロセス開発第四部
-
綱島 祥隆
(株)東芝 セミコンダクター社
-
江口 和弘
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
綱島 祥隆
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
佐藤 基之
東芝 セミコンダクター社
-
関根 克行
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
関根 克行
東芝 セミコンダクター社
-
江口 和弘
半導体理工学センター(STARC)
-
江口 和弘
(株)東芝
-
綱島 祥隆
(株)東芝
-
小山 正人
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
金子 明生
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
犬宮 誠治
(株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター
-
小山 正人
(株)東芝研究開発センター
-
犬宮 誠治
東芝
-
金子 明生
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
-
小山 正人
(株)東芝
-
渡辺 健
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
冨田 寛
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
福井 大伸
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
灘原 壮一
(株)東芝セミコンダクタ社
-
斎藤 正樹
ソニー(株)
-
斎藤 孝行
(株)荏原総合研究所
-
灘原 壮一
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体プロセス開発第四部
-
冨田 寛
(株)東芝セミコンダクター社
-
山口 豪
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
福井 大伸
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
青山 知憲
(株)東芝セミコンダクター社
-
中崎 靖
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
中崎 靖
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
長谷川 英司
Necエレクトロニクス(株)
-
西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
小路丸 友則
大日本スクリーン製造(株) 開発本部
-
村岡 祐介
大日本スクリーン製造(株) 開発本部
-
西山 彰
(株)東芝研究開発センター
-
丹羽 祥子
(株)東芝
-
鎌田 善己
(株)東芝
-
鎌田 善己
東芝
-
小山 正人
東芝
-
平野 泉
(株)東芝研究開発センター
-
西山 彰
東芝 研究開発センター
-
小山 正人
東芝 研究開発センター
-
渡部 宏治
NECエレクトロニクス(株)
-
山口 豪
(株)東芝 研究開発センター
-
村岡 祐介
大日本スクリーン製造(株)
-
中崎 靖
(株)東芝
-
中崎 靖
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
渡部 宏治
Necエレクトロニクス
-
西山 彰
(株)東芝 研究開発センター
著作論文
- 酸化剤濃度コントロールSOMによるレジスト剥離技術
- プラズマ酸化とプラズマ窒化を用いた、低消費電力CMOSデバイス向けHfSiONゲート絶縁膜の形成(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- HfSiON高誘電率ゲート絶縁膜技術
- 低Hf濃度キャップ層(Hf=6%)形成によるHfSiONゲート絶縁膜の電気特性および信頼性向上とそのメカニズム