鎌田 善己 | 東芝
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概要
関連著者
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小山 正人
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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鎌田 善己
東芝
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西山 彰
東芝 研究開発センター
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小山 正人
東芝 研究開発センター
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渡辺 健
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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福井 大伸
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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上牟田 雄一
半導体MIRAI-ASET
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福井 大伸
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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綱島 祥隆
(株)東芝 セミコンダクター社
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金子 明生
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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江口 和弘
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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犬宮 誠治
(株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター
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綱島 祥隆
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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小山 正人
(株)東芝研究開発センター
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佐藤 基之
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体プロセス開発第四部
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佐藤 基之
東芝 セミコンダクター社
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関根 克行
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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西山 彰
(株)東芝研究開発センター
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丹羽 祥子
(株)東芝
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鎌田 善己
(株)東芝
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飯島 良介
東芝
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井野 恒弘
東芝
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上牟田 雄一
東芝
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小山 正人
東芝
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西山 彰
東芝
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関根 克行
東芝 セミコンダクター社
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犬宮 誠治
東芝
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江口 和弘
半導体理工学センター(STARC)
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金子 明生
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
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江口 和弘
(株)東芝
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井野 恒洋
東芝
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綱島 祥隆
(株)東芝
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小山 正人
(株)東芝
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西山 彰
(株)東芝 研究開発センター
著作論文
- プラズマ酸化とプラズマ窒化を用いた、低消費電力CMOSデバイス向けHfSiONゲート絶縁膜の形成(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- アモルファスZrシリケートゲート絶縁膜を用いたGe p-MOSFETの正孔移動度