アモルファスZrシリケートゲート絶縁膜を用いたGe p-MOSFETの正孔移動度
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概要
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- 2006-06-28
著者
-
上牟田 雄一
半導体MIRAI-ASET
-
小山 正人
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
飯島 良介
東芝
-
鎌田 善己
東芝
-
井野 恒弘
東芝
-
上牟田 雄一
東芝
-
小山 正人
東芝
-
西山 彰
東芝
-
西山 彰
東芝 研究開発センター
-
小山 正人
東芝 研究開発センター
-
井野 恒洋
東芝
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