反射電子エネルギー分光法(REELS)によるHfSiO_x膜の評価(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
HfO_2およびHfSiO_xは、SiO_2に代わるゲート絶縁膜材料として有望である。これら薄膜のバンドギャップの評価は、電気特性の解明に不可欠である。今回、我々は、簡便でかつ繰り返し精度よくバンドギャップを評価する方法として、反射電子エネルギー分光法(REELS)の適用を検討した。 REELS は表面敏感な手法であるため、実際のゲート絶縁膜として使用される数nm程度の薄膜における評価に有効な手法であると思われる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-20
著者
-
鈴木 正道
(株)東芝 研究開発センター
-
上牟田 雄一
半導体MIRAI-ASET
-
西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
小池 正浩
(株)東芝研究開発センター
-
井野 恒洋
(株)東芝研究開発センター
-
上牟田 雄一
(株)東芝研究開発センター
-
西山 彰
(株)東芝研究開発センター
-
西山 彰
東芝 研究開発センター
-
井野 恒洋
東芝
-
西山 彰
(株)東芝 研究開発センター
関連論文
- High-k MOSデバイスのしきい値電圧制御におけるhigh-k/SiO_2界面の役割(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- LaAlO/Si基板界面への1原子層SrSi_2挿入による界面電気特性改善効果の実証(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- SOI集積回路に対する基板浮遊効果の影響
- SiナノワイヤへのNiシリサイド形成と過剰な侵入とその抑制に関する検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- EOT=0.5nmに向けた希土類MOSデバイスの高温短時間熱処理の検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 低待機時電力HfSiON-CMOSFET技術(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- プラズマ酸化とプラズマ窒化を用いた、低消費電力CMOSデバイス向けHfSiONゲート絶縁膜の形成(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- アモルファスZrシリケートゲート絶縁膜を用いたGe p-MOSFETの正孔移動度
- HfSiONその高耐熱性に基づくhigh-kゲート絶縁膜としての期待と残された課題(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- HfSiONその高耐熱性に基づくhigh-kゲート絶縁膜としての期待と残された課題(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- ゲートリークの救世主、それはHigh-k!(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- ゲートリークの救世主、それはHigh-k!(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化(デバイス,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化(デバイス, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 界面物理現象理解に基づいたNi-FUSI/SiON及びHfSiON界面の実効仕事関数制御技術
- 硬X線光電子分光法を用いた半導体デバイスの分析
- 熱処理雰囲気に依存したLaAlO_3ゲート絶縁膜上メタルゲート電極の実効仕事関数評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 先端LSIに向けた直接接合極薄ランタンアルミネートゲート絶縁膜
- ランタンアルミネート直接接合ゲート絶縁膜
- 反射電子エネルギー分光法(REELS)によるHfSiO_x膜の評価(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- ジルコニウム窒化膜低温酸化による耐熱性窒素添加ZrO_2ゲート絶縁膜
- 絶縁膜の結合状態、誘電特性評価法としてのTEM-EELSのポテンシャル(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- Ni-FUSI/SiO(N)界面不純物効果とFUGE(Fully Germanided)電極の仕事関数決定要因の考察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ソースにSiGe領域を形成したSOI・MOSFETにおけるドレイン破壊電圧改善のシミュレーション解析
- SiGeソース構造によるSOI MOSFET基板浮遊効果の抑制 : SiGe構造パラメータ依存性
- 高温熱処理とMIPS構造によるLa-silicate/Si界面特性の改善と低EOTの実現(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- コンダクタンス法を用いたHfO_2/In_Ga_Asの界面解析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- コンダクタンス法を用いたHfO_2/In_Ga_ASの界面解析
- High-k MOS デバイスのしきい値電圧制御におけるhigh-k/SiO_2界面の役割
- 微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Flashメモリ : その動作原理と最新開発動向(記録媒体、一般)
- 微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案