高温熱処理とMIPS構造によるLa-silicate/Si界面特性の改善と低EOTの実現(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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本論文では、低EOTと良好な界面特性の両立に向けた直接接合La-silicate/Si構造の界面制御について報告する。800℃、30分間の熱処理を行うことで界面準位を1.6×10^<11>cm^<-2>eV^<-1>まで低減することができたが、EOTの著しい増加を確認した。高温熱処理とMetal Inserted Poly-Si(MIPS)構造を組み合わせることで、La-silicate/Si界面のsilicate化反応を制御し、良好な界面特性を維持したまま大幅なEOT薄膜化に成功した。さらに直接接合La-silicate/Si構造を用いてEOT0.62nmのnMOSFETを実現し、実効電界1MV/cmにおいて155cm^2/VsecというHf系絶縁膜に匹敵する実効電子移動度を示した。
- 2011-06-27
著者
-
杉井 信之
(株)日立製作所中央研究所
-
杉井 信之
東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻
-
角嶋 邦之
東工大総理工
-
岩井 洋
東工大フロンティア研
-
岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
筒井 一生
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
-
服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
名取 研二
東京工業大学フロンティア研究機構
-
西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
-
AHMET Parhat
東京工業大学フロンティア研究機構
-
服部 健雄
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
パールハット アヘメト
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
アヘメト パールハット
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
-
西山 彰
東芝 研究開発センター
-
アヘメト パールハット
東京工業大学フロンティア研究機構
-
杉井 信之
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
岩井 洋
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
-
角嶋 邦之
東京工業大学
-
岩井 洋
東京工業大学
-
川那子 高暢
東京工業大学フロンティア研究機構
-
服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
-
パルハット アヘメト
東京工業大学フロンティア研究機構
-
西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究
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