フッ化物-Si系共鳴トンネルダイオードとSi-MOSFETの集積化
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概要
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Si基板上にエピタキシャル成長させたCaF_2/CdF_2/CaF_2ヘテロ構造による共鳴トンネルダイオード(RTD)をSi-MOSFETと集積し、SRAMセルの機能を持つ回路を試作した。Si基板の高濃度イオン注入層上にフッ化物超薄膜ヘテロ構造を形成するプロセス条件を最適化し、集積素子を形成した。RTDが2個直列接続された回路でのバイアス電圧掃引に対して双安定動作特性を確認した。また、同回路のSPICEシミュレーションを行い、書き込み速度の評価おおびRTD特性の変動による動作マージンについて検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-06-29
著者
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神林 宏
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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筒井 一生
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
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寺山 俊明
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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関根 広志
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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Maitre Patric
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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