極浅接合における異なる化学結合状態を持つ不純物の検出とその深さ方向プロファイル評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

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概要

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• Si基板表面にBドープおよびAsドープにより形成された極浅接合中に存在する複数の化学結合状態を持つ不純物の深さ方向濃度プロファイルを軟X線光電子分光法とサブnm単位の表面エッチング手法を組み合わせて求めた。ホール効果測定とも組み合わせ、電気的に活性化している不純物とその化学結合状態の対応を明らかにし、電気的に不活性な不純物がそれぞれの化学結合状態に対応する異なる不純物クラスターを形成していることを推測した。また、この評価手法をSiのFin構造に適用し、Fin構造の上面と側面での不純物の状態とそれぞれの濃度を分離して検出できることを示した。

• 一般社団法人電子情報通信学会の論文
• 2012-06-14

著者

• 室 隆桂之

  JASRI

• 室隆 桂之

  SPring-8 JASRI

• 室 隆桂之

  高輝度光科学研究センター

• 岩井 洋

  東工大フロンティア研

• 室 桂隆之

  JASRI SPring-8

• 岩井 洋

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 筒井 一生

  東京工業大学大学院 総合理工学研究科

• 服部 健雄

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 服部 健雄

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• アヘメト パールハット

  東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター

• Nohira Hiroshi

  Faculty Of Engineering Musashi Institute Of Technology

• 岩井 洋

  (株)東芝研究開発センターulsi研究所

• 角嶋 邦之

  東京工業大学

• 岩井 洋

  東京工業大学

• 野平 博司

  東京都市大

• パルハット アヘメト

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 室 隆桂之

  SPring-8-JASRI

• 野平 博司

  東京都市大学工学部

• 角嶋 邦之

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 金原 潤

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 宮田 陽平

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

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