電子ビーム位置制御法によるナノドットアレイ
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概要
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量子ドットアレイの新しい形成方法として、自然形成的手法と電子ビーム露光技術の利点を合わせ持つ「電子ビーム位置制御法」を開発している。これは、Si基板上にエピタキシャル成長したCaF_2薄膜表面上に収束電子ビームを直接照射し、その後にこの露光位置にGaを自然形成的に選択凝集してドットアレイを形成する方法である。本報告では、Gaの選択的凝集の機構について検討を加え、電子ビーム照射により堆積する炭素性堆積物がUVオゾン処理により整形され、これが凝集核として働いていることを示した。また、炭素性堆積物からの汚染を避け、かつ、高い選択性を得るために、新たにCaF_2の再成長プロセスを用いる方法を提案し、この方法が有効であることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-02-10
著者
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