エピタキシャル弗化物上への位置制御された金属極微細構造の選択形成

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概要

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Si基板上にエピタキシャル成長したCaF_2薄膜表面上に集束電子ビームを直接照射し、その後にこの露光位置に金属等を自然形成的に選択凝集させて極微細構造を形成する技術を検討している。堆積金属として、従来のGaに加えてAlによる構造形成を比較検討し、Alのほうが電子線照射領域への濡れ性が高く、ドットアレイのみでなくGaでは困難だった細線構造も同時形成できることを示した。また、金属堆積前にCaF_2を再成長するプロセスを検討し、従来法に比べてGaドットアレイが良好な選択性をもって形成できることを示した。
2001-02-21

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