弗化物混晶系ヘテロ構造を用いたシリコン基板上の共鳴トンネルダイオード
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概要
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弗化物ヘテロ構造(CaF_2/CdF_2/CaF_2)を用いた共鳴トンネルダイオード(RTD)はSi-LSIとの集積化が期待できる。この弗化物ヘテロ構造にCaF_2とCdF_2の混晶層を新たに導入し、RTDの特性向上をめざして検討を行った。まず、CaF_2バリア層を混晶化することによってバリアハイトを制御できる可能性を示した。また、CaF_2組成比が小さいCd-rich混晶の成長ではpure-CdF_2に比べて安定な成長が可能になることを明らかにし、これを井戸層に用いたRTDを製作した。その結果、室温で明瞭な微分負性抵抗特性を観測し、P/V比29を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-02-04
著者
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