位置制御された自然形成金属量子ドットと単電子デバイス応用の提案
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概要
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単電子素子の構成材料は、半導体のみならず金属もその候補として挙げられる。金属は半導体に比較すると電極島の寸法をより微細化する必要があるものの、表面空乏層や量子準位の影響を受け難くその特性がオーソドックス理論によく合致するという利点がある。これまでに、リソグラフィー技術を駆使した方法やSTMを利用した方法等で金属系の単電子デバイスの報告がある。本研究では、基板表面上への金属微粒子の自然形成とその形成位置の制御技術によって、1次元の多重トンネル接合構造形成を試み、デバイスプロセスの検討を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
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