SiナノワイヤへのNiシリサイド形成と過剰な侵入とその抑制に関する検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
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概要
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SiナノワイヤにおけるNiシリサイドはワイヤ形状や周囲の酸化膜の影響から、バルク基板との反応と異なった反応を示す。ワイヤ径や熱処理温度を変化させた実験を通じてシリサイド化の現象を調査し、シリサイド反応の抑制方法を提案する。また、SiナノワイヤにおけるNiシリサイド形成のサイズ効果を評価した。
- 2010-06-15
著者
-
杉井 信之
(株)日立製作所中央研究所
-
杉井 信之
東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻
-
角嶋 邦之
東工大総理工
-
岩井 洋
東工大フロンティア研
-
岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
筒井 一生
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
-
服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
名取 研二
東京工業大学フロンティア研究機構
-
茂森 直澄
東京工業大学フロンティア研究機構
-
佐藤 創志
東京工業大学フロンティア研究機構
-
角嶋 邦之
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
アヘメト パルハット
東京工業大学フロンティア研究機構
-
西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
-
服部 健雄
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
西山 彰
東芝 研究開発センター
-
杉井 信之
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
岩井 洋
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
-
佐藤 創志
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
角嶋 邦之
東京工業大学
-
岩井 洋
東京工業大学
-
パルハット アヘメト
東京工業大学フロンティア研究機構
-
西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究
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