0.1μm領域CMOSFETに於ける素子の電気的特性の基板不純物濃度依存性
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概要
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種々の素子特性に対する基板不純物濃度の影響を、ゲート長0.1μm領域の微細素子にまで系統的に検討した。その結果、得られた基板濃度の実用上の限界は、もちろん素子の用途に依存するが、一般的に約2〜5×10^18>cm^-3>程度である事が判った。更に、殊にホットキャリア現象に対する基板不純物濃度の影響を詳細に検討して、基板不純物濃度の高い領域に於いてはホットキャリアが低不純物濃度の場合と異なる興味深い振る舞いを呈する事を見い出し、この現象に関する詳細な検討を加えた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-07-27
著者
-
岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
大黒 達也
(株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
-
百瀬 寿代
(株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
-
斎藤 雅伸
(株)東芝研究開発センターULSI研究所
-
小野 瑞成
東芝研究開発センター
-
斎藤 雅伸
東芝研究開発センター
-
吉富 崇
東芝研究開発センター
-
Fiegna Claudio
ボローニャ大学
-
大黒 達也
東芝研究開発センター
-
百瀬 寿代
東芝研究開発センター
-
岩井 洋
東芝研究開発センター
-
大黒 達也
東芝セミコンダクター社:広島大学
-
大黒 達也
東芝セミコンダクター社
-
吉富 崇
東芝セミコンダクター社
-
小野 瑞成
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
-
百瀬 寿代
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
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