デバイスシミュレーションによるランダムテレグラフノイズの本質的理解
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概要
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- 2011-11-03
著者
-
百瀬 寿代
(株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
-
大黒 達也
東芝セミコンダクター社:広島大学
-
松澤 一也
(株)東芝 ULSI研究所
-
松澤 一也
(株)東芝 研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
東 悠介
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
百々 信幸
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部
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大黒 達也
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部
-
百瀬 寿代
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部
-
東 悠介
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
東 悠介
株式会社東芝
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