シリコンLSIの発展を支える超微細トランジスタプロセス技術 : 0.1およびSub-0.1μmMOSFETの高性能化のためのプロセス技術
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概要
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シリコンLSIの発展には目覚しいものがあり, 現在は25年前のLSI出現当時のものと比べて数万倍以上の集積度, 数千倍以上の演算速度をもつものが製品化されている. 今後も我々の生活を豊かにするものとしてLSIの一層の高性能化が期待されている. LSIの発展は主としてトランジスタなどLSIに組み込まれる素子の微細化により達成されてきた. 現在単体の素子レベルでは0.1μmおよびSub-0.1μmの最小線幅をもつものが試作されており, 来世紀にはこれがLSIに組み込まれて高性能化に寄与することが期待されている.本稿ではこの極微細素子を実現し高性能化するための新しいプロセス技術の解説を行う.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-25
著者
-
岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
百瀬 寿代
(株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
-
岩井 洋
(株)東芝
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岩井 洋
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
-
百瀬 寿代
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
-
百瀬 寿代
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部
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