AR-XPSによる種々の表面処理したIn_<0.53>Ga_<0.47>As表面の化学結合状態の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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我々はHF,自然酸化,(NH_4)_2S,またはHMDS(Hexamethydisilazane)という表面処理がIn_<0.53>Ga_<0.47>As表面の化学結合状態に及ぼす影響について角度分解光電子分光法を用いて調べた.測定光電子はAs 3d, Ga 3p, In 3d, S 2p, Si 2p, O 1s, C 1sであり,光電子の脱出角度は11°から90°である.その結果, (NH_4)_2S処理は表面の酸化を抑制するのに効果があり,またSがIn_<0.53>Ga_<0.47>As表面に存在していること,一方, HMDS処理は,表面の酸化を抑制できないことを明らかにした.
- 2011-10-13
著者
-
角嶋 邦之
東工大総理工
-
岩井 洋
東工大フロンティア研
-
岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
岩井 洋
東京工業大学フロンティア研究機構
-
Nohira Hiroshi
Faculty Of Engineering Musashi Institute Of Technology
-
岩井 洋
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
-
角嶋 邦之
東京工業大学
-
岩井 洋
東京工業大学
-
ザデ ダリューシュ
東京工業大学フロンティア研究機構
-
野平 博司
東京都市大
-
小松 新
東京都市大学工学部
-
沼尻 侑也
東京都市大学
-
山下 晃司
東京都市大学
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