キャリア移動度評価によるシリコンナノワイヤトランジスタの電気特性解析 (シリコン材料・デバイス)
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概要
- 論文の詳細を見る
- 2010-06-22
著者
-
岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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名取 研二
東京工業大学フロンティア研究機構
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大毛利 健治
早稲田大学
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佐藤 創志
東京工業大学フロンティア研究機構
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角嶋 邦之
早稲田大学ナノ理工学研究機構
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AHMET Parhat
東京工業大学フロンティア研究機構
-
山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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