Systematic studies on Fermi level pining of Hf-based high-k gate stacks
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概要
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- 2007-09-19
著者
-
知京 豊裕
物材機構
-
知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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赤坂 泰志
東京エレクトロン株式会社
-
Nara Y.
Semiconductor Leading Edge Technology Inc.
-
知京 豊裕
金属材料技術研究所
-
渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
-
山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
-
白石 賢二
筑波大学
-
知京 豊裕
物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研
-
大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構
-
知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
-
SHIRAISHI K.
Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba
-
AKASAKA Y.
Semiconductor Leading Edge Technology Inc.
-
NAKAMURA G.
Semiconductor Leading Edge Technology Inc.
-
KADOSHIMA M.
Semiconductor Leading Edge Technology Inc.
-
WATANABE H.
Graduate School of Engineering, Osaka University
-
OHMORI K.
Nanotechnology Research Laboratories, Waseda University
-
CHIKYOW T.
National Institute of Materials Science
-
YAMABE K.
Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba
-
OHJI Y.
Semiconductor Leading Edge Technology Inc.
-
YAMADA K.
Nanotechnology Research Laboratories, Waseda University
-
NARA Y.
Selete
-
山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所
-
Yamabe K.
Graduate School Of Pure And Applied Sciences Univ. Of Tsukuba
-
Shiraishi K.
Graduate School Of Pure And Applied Sciences Univ. Of Tsukuba
-
Akasaka Y.
Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. (selete)
-
山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
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