Full-Metal-Gate Integration of Dual-Metal-Gate HfSiON CMOS Transistors by Using Oxidation-Free Dummy-Mask Process
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概要
- 論文の詳細を見る
- 2006-09-13
著者
-
赤坂 泰志
東京エレクトロン株式会社
-
Nara Y.
Semiconductor Leading Edge Technology Inc.
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AKASAKA Y.
Semiconductor Leading Edge Technology Inc.
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OOTSUKA F.
Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)
-
TAMURA Y.
Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)
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INUMIYA S.
Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)
-
NAKATA H.
Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)
-
OHTSUKA M.
Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)
-
WATANABE T.
Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)
-
KITAJIMA M
Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)
-
NAKAMURA K.
Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)
-
NARA Y.
Selete
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Inumiya S.
Semicondutor Leading Edge Technologies Inc.
-
Ohtsuka M.
Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. (selete)
-
Kitajima M
Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. (selete)
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Akasaka Y.
Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. (selete)
-
Ootsuka F.
Semiconductor Leading Edge Technologies Inc.
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