Material Selection for the Metal Gate/High-k Transistors

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概要

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• 2004-09-15

著者

• 吉武 道子

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構

• 赤坂 泰志

  東京エレクトロン株式会社

• 山田 啓作

  筑波大学数理物質科学研究科

• AKASAKA Y.

  Semiconductor Leading Edge Technology Inc.

• CHIKYOW T.

  National Institute of Materials Science

• UEDONO A.

  Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba

• YAMADA K.

  Waseda University

• Nakajima K.

  National Inst. for Material Science

• Uedono A.

  Graduate School Of Pure And Applied Sciences Univ. Of Tsukuba

• MIYAGAWA K.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• KARIYA A.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• SHOJI H.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• AOYAMA T.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• KUME S.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• SHIGETA M.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• OGAWA O.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• SHIRAISHI K.

  Tsukuba University

• UEDONO A.

  Tsukuba University

• YAMABE K.

  Tsukuba University

• YASUHIRA M.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• ARIKADO T.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• Yamabe K.

  Graduate School Of Pure And Applied Sciences Univ. Of Tsukuba

• Arikado T.

  Semiconductor Leading Edge Technologies Inc.

• Arikado T.

  Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. (selete)

• Kume S.

  Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. (selete)

• Shiraishi K.

  Graduate School Of Pure And Applied Sciences Univ. Of Tsukuba

• Shigeta M.

  Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. (selete)

• Kariya A.

  Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. (selete)

• Yasuhira M.

  Semiconductor Leading Edge Technologies Inc.

• Yasuhira M.

  Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. (selete)

• Akasaka Y.

  Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. (selete)

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• UPS, XPS, AESを用いた仕事関数計測の原理と実践的ノウハウ
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• 金属電極とHf系高誘電率絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構
• 局所ポテンシャル障壁高さ計測における条件依存性の判別
• 局所ポテンシャル障壁高さ測定に関する考察
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