局所ポテンシャル障壁高さ測定に関する考察
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 金属電極/high-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 光電子収量分光における2次電子閾値の検討
- HACCP対応抗菌エコプレーティングとバイオフィルム
- Cu-9%Al(111)上に成長したエピタキシャルアルミナ膜の表面観察
- Cu-9%Al(111) 合金上に成長したエピタキシャル酸化膜の表面形態と化学結合状態
- Cu-Al 合金単結晶上への結晶性極薄アルミナ膜の成長
- 講義 単体元素と遷移金属シリサイドのスパッタ速度
- シリサイド薄膜の相対スパッタエッチングレート比のエネルギー依存性
- コハク酸のCu(110)表面での吸着状態と仕事関数
- グルタル酸の Cu(110)表面での吸着構造
- N-Acetylglycine のCu(110)表面での吸着状態と仕事関数
- Cu(110)表面でのハイドロムコン酸の吸着状態
- Cu(110)表面でのアジピン酸の吸着状態 (第24回表面科学講演大会論文特集(3))
- CH_4分子により修飾されたPt(111)表面の仕事関数
- 分子線飛行時間計測法によるPt(111)表面でのアルカン分子の衝突過程の研究
- Wide Controllability of Flatband Voltage in La_2O_3 Gate Stack Structures : Remarkable Advantages of La_2O_3 over HfO_2
- 最近の展望 デバイス電極材料と仕事関数
- 局所ポテンシャル障壁高さ計測における条件依存性の判別
- 局所ポテンシャル障壁高さ測定に関する考察
- 仕事関数の成り立ち, 調整法とバンドアライメント
- UPS, XPS, AESを用いた仕事関数計測の原理と実践的ノウハウ
- 基板/薄膜界面における拡散と偏析・反応 : どんな系でも予測できる方法
- 結晶性アルミナ超薄膜の作製
- TiN 膜への Cl^+ イオン打ち込みによる低摩擦化の X 線光電子分光法による研究
- Au(111)再構成表面での局所ポテンシャル障壁高さ測定
- 仕事関数制御の新たな試み
- 走査型トンネル電子顕微鏡によるナノスケール"仕事関数"の電圧依存性の測定〔含 査読コメント〕
- Pauling の電気陰性度 : 日本-欧米ダブルスタンダード!?
- Auスパッタエッチングにおけるスパッタ温度と表面ナノ凸凹形成
- 熱処理合金化めっき法によるすず-パラジウム合金皮膜の形成プロセスと皮膜の抗菌性発現
- 熱エネルギー原子線散乱法による吸着脱離過程の測定
- 局所ポテンシャル障壁高さ計測における条件依存性の判別
- 局所ポテンシャル障壁高さ測定に関する考察
- Material Selection for the Metal Gate/High-k Transistors
- ショットキーバリア高さ制御のための元素添加によるアルミナ-金属界面結合変化の定量的予測式
- ショットキーバリア高さ制御のための元素添加によるアルミナ-金属界面結合変化の定量的予測式
- アルミナ-金属界面の結合を介する原子の種類を予測する一般式
- 熱力学計算によるチオール・カルボン酸の様々な無機基板表面への化学吸着の考察