吉武 道子 | 物質・材料研究機構 半導体材料センター

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• 吉武 道子

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 吉武 道子

  物質・材料研究機構

• 吉武 道子

  (独)物質・材料研究機構半導体材料研究センター

• 吉武 道子

  金属材料技術研究所

• 吉武 道子

  「応用物理」 編集委員会

• 吉武 道子

  金材技研

• 吉武 道子

  科学技術庁金属材料技術研究所

• 柳生 進二郎

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 吉武 道子

  物質材料研究機構 半導体材料研究センター

• 柳生 進二郎

  筑波大学物理工学系

• 柳生 進二郎

  物質・材料研究機構manaナノエレクトロニクス材料ユニット

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構

• 柳生 進二郎

  物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所

• 知京 豊裕

  金属材料技術研究所

• 柳生 進二郎

  物質・材料研究機構 ナノエレクトロニクス材料ユニット

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 知京 豊裕

  物材機構

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 山内 康弘

  物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所

• SONG Weijie

  物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所

• Song Weijie

  物質・材料研究機構

• CHIKYOW T.

  National Institute of Materials Science

• 知京 豊裕

  物材機構:comet-nims:科技機構戦略

• 赤坂 泰志

  東京エレクトロン株式会社

• 山田 啓作

  筑波大学数理物質科学研究科

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研

• CHANG K.-S.

  National Institute for Standards and Technology

• GREEN M.

  National Institute for Standards and Technology

• 生貝 初

  鈴鹿工業高等専門学校 生物応用化学科

• 兼松 秀行

  鈴鹿工業高等専門学校材料工学科

• 渡部 平司

  大阪大学大学院工学研究科

• 白石 賢二

  筑波大学

• 大毛利 健治

  早稲田大学ナノ理工学研究機構

• Green M.

  National Institute Of Standards And Technology

• AKASAKA Y.

  Semiconductor Leading Edge Technology Inc.

• AHMET P.

  Tokyo Institute of Technology

• YAMADA K.

  Waseda University

• 山田 啓作

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 吉武 道子

  物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所

• 大毛利 健治

  早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所

• 兼松 秀行

  鈴鹿高専

• 生貝 初

  鈴鹿工業高等専門学校生物応用化学科

• 兼松 秀行

  鈴鹿工業高等専門学校 材料工学科

• 生貝 初

  鈴鹿工業高等専門学校

• 兼松 秀行

  鈴鹿工業高等専門学校

• 山田 啓作

  筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST

• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 野中 源一郎

  九州大学薬学部

• 石田 芳也

  北見赤十字病院耳鼻咽喉科・頭頸部外科

• 小川 亜希子

  鈴鹿工業高等専門学校

• 白石 賢二

  筑波大学数理物質科学研究科

• 山部 紀久夫

  筑波大学数理物質科学研究科

• 奈良 安雄

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 山田 啓作

  早稲田大学ナノテクノロジー研究所

• 大毛利 健治

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• AHMET P.

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 渡部 平司

  大阪大学

• 赤坂 泰志

  Selete

• 奈良 安雄

  Selete

• Nara Y.

  Semiconductor Leading Edge Technology Inc.

• 奈良 安雄

  (株)富士通研究所 Ulsi研究部門

• 黒田 大介

  鈴鹿工業高等専門学校材料工学科

• 相澤 龍彦

  東京大学先端科学技術研究センター

• 金 兌映

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 山部 紀久夫

  筑波大学

• BERA Santanu

  物質・材料研究機構

• UMEZAWA N.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• UEDONO A.

  Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba

• OHMORI K.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• CHIKYOW T.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• SHIRAISHI K.

  University of Tsukuba

• YAMABE K.

  University of Tsukuba

• WATANABE H.

  Osaka University

• AKASAKA Y.

  Selete

• NAKAJIMA K.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• YOSHITAKE M.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• NAKAYAMA T.

  Chiba University

• KAKUSHIMA K.

  Tokyo Institute of Technology

• NARA Y.

  Selete

• IWAI H.

  Tokyo Institute of Technology

• Nakajima K.

  National Inst. for Material Science

• 小川 亜希子

  鈴鹿高専・生応

• LAY ThiThi

  物質・材料研究機構

• MOROZ Vitaliy

  物質・材料研究機構

• LYKHACH Yaroslava

  物質・材料研究機構

• AKHADEJDAMRONG Thananan

  東京大学先端研

• 相澤 龍彦

  東京大学先端研

• Uedono A.

  Graduate School Of Pure And Applied Sciences Univ. Of Tsukuba

• Ahmet P.

  物質・材料研究機構

• 柳生 進二郎

  物質材料研究機構 半導体材料研究センター

• MIYAGAWA K.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• KARIYA A.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• SHOJI H.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• AOYAMA T.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• KUME S.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• SHIGETA M.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• OGAWA O.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• SHIRAISHI K.

  Tsukuba University

• UEDONO A.

  Tsukuba University

• YAMABE K.

  Tsukuba University

• YASUHIRA M.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• ARIKADO T.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• 山田 啓作

  早稲田大学:筑波大学

• Yamabe K.

  Graduate School Of Pure And Applied Sciences Univ. Of Tsukuba

• Arikado T.

  Semiconductor Leading Edge Technologies Inc.

• Arikado T.

  Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. (selete)

• 黒田 大介

  鈴鹿工業高等専門学校

• Umezawa N.

  Advanced Electronic Materials Center National Institute For Materials Science

• Nakaoka T.

  Chiba University

• 小川 亜希子

  鈴鹿高専

• Kume S.

  Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. (selete)

• Shiraishi K.

  Graduate School Of Pure And Applied Sciences Univ. Of Tsukuba

• Shigeta M.

  Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. (selete)

• Kariya A.

  Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. (selete)

• Yasuhira M.

  Semiconductor Leading Edge Technologies Inc.

• Yasuhira M.

  Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. (selete)

• Akasaka Y.

  Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. (selete)

• Ahmet Parhat

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

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著作論文

• 金属電極/high-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 光電子収量分光における2次電子閾値の検討
• HACCP対応抗菌エコプレーティングとバイオフィルム
• Cu-9%Al(111)上に成長したエピタキシャルアルミナ膜の表面観察
• Cu-9%Al(111) 合金上に成長したエピタキシャル酸化膜の表面形態と化学結合状態
• Cu-Al 合金単結晶上への結晶性極薄アルミナ膜の成長
• 講義 単体元素と遷移金属シリサイドのスパッタ速度
• シリサイド薄膜の相対スパッタエッチングレート比のエネルギー依存性
• コハク酸のCu(110)表面での吸着状態と仕事関数
• グルタル酸の Cu(110)表面での吸着構造
• N-Acetylglycine のCu(110)表面での吸着状態と仕事関数
• Cu(110)表面でのハイドロムコン酸の吸着状態
• Cu(110)表面でのアジピン酸の吸着状態 (第24回表面科学講演大会論文特集(3))
• Wide Controllability of Flatband Voltage in La_2O_3 Gate Stack Structures : Remarkable Advantages of La_2O_3 over HfO_2
• 最近の展望 デバイス電極材料と仕事関数
• 局所ポテンシャル障壁高さ計測における条件依存性の判別
• 局所ポテンシャル障壁高さ測定に関する考察
• 仕事関数の成り立ち, 調整法とバンドアライメント
• UPS, XPS, AESを用いた仕事関数計測の原理と実践的ノウハウ
• 基板/薄膜界面における拡散と偏析・反応 : どんな系でも予測できる方法
• 結晶性アルミナ超薄膜の作製
• TiN 膜への Cl^+ イオン打ち込みによる低摩擦化の X 線光電子分光法による研究
• Au(111)再構成表面での局所ポテンシャル障壁高さ測定
• 仕事関数制御の新たな試み
• 走査型トンネル電子顕微鏡によるナノスケール"仕事関数"の電圧依存性の測定〔含 査読コメント〕
• Pauling の電気陰性度 : 日本-欧米ダブルスタンダード!?
• Auスパッタエッチングにおけるスパッタ温度と表面ナノ凸凹形成
• 熱処理合金化めっき法によるすず-パラジウム合金皮膜の形成プロセスと皮膜の抗菌性発現
• 局所ポテンシャル障壁高さ計測における条件依存性の判別
• 局所ポテンシャル障壁高さ測定に関する考察
• Material Selection for the Metal Gate/High-k Transistors
• ショットキーバリア高さ制御のための元素添加によるアルミナ-金属界面結合変化の定量的予測式
• ショットキーバリア高さ制御のための元素添加によるアルミナ-金属界面結合変化の定量的予測式
• アルミナ-金属界面の結合を介する原子の種類を予測する一般式
• 熱力学計算によるチオール・カルボン酸の様々な無機基板表面への化学吸着の考察

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