山部 紀久夫 | 筑波大学
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概要
関連著者
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山部 紀久夫
筑波大学
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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白石 賢二
筑波大学
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知京 豊裕
物材機構
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科
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山部 紀久夫
筑波大学数理物質科学研究科
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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山田 啓作
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
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奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
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宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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知京 豊裕
物質材料研究機構(NIMS)
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鳥居 和功
日立製作所中央研究所
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上殿 明良
筑波大数理
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上殿 明良
筑波大学電子物理工学系
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北島 洋
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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有門 経敏
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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上殿 明良
筑波大学・物理工学系
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北島 洋
(株)半導体先端テクノロジーズ
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有門 経敏
(株)半導体先端テクノロジーズ
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宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
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上殿 明良
筑波大学物理工学系
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宮崎 誠一
広島大学大学院
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
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鈴木 良一
産総研
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大平 俊行
産総研
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上殿 明良
筑波大学数理物質科学研究科
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大平 俊行
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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鈴木 良一
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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山田 啓作
物質材料研究機構(NIMS)
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鳥居 和功
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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樋口 恵一
筑波大学電子・物理工学専攻
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後藤 正和
筑波大学電子・物理工学専攻
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蓮沼 隆
筑波大学電子・物理工学専攻
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渡部 平司
大阪大学
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知京 豊裕
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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赤坂 泰志
東京エレクトロン株式会社
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白石 賢二
筑波大院数物
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鈴木 良一
産業技術総合研究所
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鳥居 和功
(株)半導体先端テクノロジーズ
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ
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渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
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蓮沼 隆
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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大路 譲
半導体先端テクノロジーズ
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知京 豊裕
物質・材料研究機構
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構
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大平 俊行
産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門
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後藤 正和
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所
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大平 俊行
産業技術総合研究所
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大塚 崇
筑波大学数理物質科学研究科
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伊東 健一
筑波大学数理物質科学研究科
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梅澤 直人
物質材料研究機構(NIMS)
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犬宮 誠治
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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神山 聡
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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赤坂 泰志
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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後藤 正和
筑波大学数理物質科学研究科
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樋口 恵一
筑波大学数理物質科学研究科
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池内 恒平
筑波大学数理物質科学研究科
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ABUDUL Hamid
物質材料研究機構(NIMS)
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三橋 理一郎
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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堀内 淳
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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山部 紀久夫
筑波大学電子・物理工学専攻
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大毛利 健治
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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AHMET P.
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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赤坂 泰志
Selete
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吉武 道子
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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CHANG K.-S.
National Institute for Standards and Technology
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GREEN M.
National Institute for Standards and Technology
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奈良 安雄
Selete
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細井 卓治
大阪大学
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堀内 淳
(株)半導体先端テクノロジーズ
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宮崎 誠一
広大院先端研
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足立 哲也
物質・材料研究機構
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吉武 道子
(独)物質・材料研究機構半導体材料研究センター
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宮崎 誠一
広島大学 工学部
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白石 賢二
筑波大学物理学系
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佐藤 基之
(株)半導体先端テクノロジーズ
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青山 敬幸
(株)半導体先端テクノロジーズ
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白石 賢二
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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山部 紀久夫
筑波大学大学院 数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻学際物質科学研究センター
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山部 紀久夫
筑波大学物理工学系
-
大毛利 健治
早稲田大学
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中島 清美
物質・材料研究機構
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石川 恵子
物質・材料研究機構
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杉田 義博
半導体先端テクノロジーズ
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山部 紀久夫
筑波大電子・物理工
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山田 啓作
早大ナノテク研
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Boero M.
筑波大学物理学系
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梅澤 直人
南カリフォルニア大
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佐藤 基之
(株)半導体先端テクノロジーズ (selete)
-
細井 卓治
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
知京 豊裕
物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研
-
蓮沼 隆
筑波大学 電子・物理工学専攻
-
三橋 理一郎
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
犬宮 誠治
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
Green M.
National Institute Of Standards And Technology
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宮崎 誠一
広大
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細井 卓治
大阪大学大学院工学研究科
-
神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
大路 譲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
CHIKYOW T.
National Institute of Materials Science
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AHMET P.
Tokyo Institute of Technology
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吉武 道子
金属材料技術研究所
-
吉武 道子
物質・材料研究機構
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吉武 道子
「応用物理」 編集委員会
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吉武 道子
科学技術庁金属材料技術研究所
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知京 豊裕
物材機構:comet-nims:科技機構戦略
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Ahmet P.
物質・材料研究機構
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吉武 道子
物質材料研究機構 半導体材料研究センター
-
吉武 道子
金材技研
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Ahmet Parhat
物質・材料研究機構 半導体材料センター
著作論文
- 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 低速陽電子ビームを用いた high-κ 膜の空隙評価
- HfAlOxゲート絶縁膜をもつMOSキャパシタの過渡的電気特性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 金属電極/high-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- HfSiON/TiNゲートスタックpMOSFETの陰極電子注入絶縁破壊モデルに基づくTDDB寿命予測方法
- Ru-Mo合金を用いた金属/high-k 絶縁膜ゲートスタックの実効仕事関数制御
- ULSIプロセス・デバイス技術と計算科学の融合
- Hf系絶縁膜中の水素原子の原子レベルの挙動の理論的研究 : ホールを起源とした絶縁破壊のメカニズム(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- HfO_2系high-kゲート絶縁膜信頼性劣化の物理モデル(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))