宮崎 誠一 | 広島大学 工学部
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概要
関連著者
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宮崎 誠一
広島大学 工学部
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宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科
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宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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山田 啓作
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
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大田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
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奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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宮崎 誠一
広大院先端研
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青山 敬幸
(株)半導体先端テクノロジーズ
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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大路 譲
半導体先端テクノロジーズ
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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白石 賢二
筑波大学
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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宮崎 誠一
広大
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大路 譲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
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山部 紀久夫
筑波大学数理物質科学研究科
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知京 豊裕
物材機構
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蓮沼 隆
筑波大学電子・物理工学専攻
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渡部 平司
大阪大学
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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松木 武雄
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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村上 秀樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
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白石 賢二
筑波大院数物
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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広瀬 全孝
産業技術総合研究所
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香野 淳
福岡大学理学部
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福田 昌俊
広島大学 工学部
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柴 和利
広島大学 工学部
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中川 和之
広島大学 工学部
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広瀬 全孝
広島大学 工学部
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香野 淳
広島大学 工学部
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後藤 優太
広島大学大学院先端物質科学研究科
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尉 国浜
広島大学大学院先端物質科学研究科
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門島 勝
(株)半導体先端テクノロジーズ
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佐藤 基之
(株)半導体先端テクノロジーズ
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杉田 義博
(株)半導体先端テクノロジーズ
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中島 清美
物質材料機構
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知京 豊裕
物質材料機構
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網中 敏夫
(株)半導体先端テクノロジーズ
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黒澤 悦男
(株)半導体先端テクノロジーズ
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松木 武雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
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蓮沼 隆
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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山部 紀久夫
筑波大学
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中島 清美
物質・材料研究機構
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カザルマン モハマド
広島大学大学院先端物質科学研究科
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佐藤 基之
(株)半導体先端テクノロジーズ (selete)
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網中 敏夫
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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知京 豊裕
物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研
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蓮沼 隆
筑波大学 電子・物理工学専攻
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柴 和利
NEC先端デバイス開発本部
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
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CHIKYOW T.
National Institute of Materials Science
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門島 勝
ルネサステクノロジ
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東 清一郎
広島大学 大学院先端物質科学研究科
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大田 晃生
広島大学 大学院先端物質科学研究科
著作論文
- Si量子ドットの自己組織化形成と室温量子物性
- HfSiON/TiNゲートスタックpMOSFETの陰極電子注入絶縁破壊モデルに基づくTDDB寿命予測方法
- メタルゲート/HfSiONゲート絶縁膜ゲートスタックにおけるピニング現象の改善策検討
- TiO_2へのY添加が電子状態および抵抗変化特性に与える影響(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- シリコン系量子ドットのフローティングゲートMOSデバイス応用