大路 譲 | (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

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概要

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関連著者

• 大路 譲

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 大路 譲

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 大路 譲

  株式会社日立製作所半導体事業部

• 大路 譲

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 奈良 安雄

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 奈良 安雄

  (株)富士通研究所 Ulsi研究部門

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部

• 大路 譲

  (株)ルネサステクノロジ

• 大路 譲

  半導体先端テクノロジーズ

• 栄森 貴尚

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)ルネサステクノロジ

• 青山 敬幸

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 栄森 貴尚

  (株)ルネサステクノロジ

• 一法師 隆志

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 前川 繁登

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 犬石 昌秀

  株式会社ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部

• 犬石 昌秀

  株式会社ルネサステクノロジ

• 佐藤 基之

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 佐藤 基之

  (株)半導体先端テクノロジーズ (selete)

• 白石 賢二

  筑波大学数理物質科学研究科

• 山田 啓作

  早稲田大学ナノテクノロジー研究所

• 松木 武雄

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 平野 有一

  三菱電機(株)

• 平野 有一

  (株)ルネサステクノロジ

• 大路 譲

  株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部

• 大路 譲

  日立製作所半導体事業部

• 杉田 義博

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 松木 武雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 山田 啓作

  筑波大学数理物質科学研究科

• 白石 賢二

  筑波大学

• 平野 有一

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 山田 啓作

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 山部 紀久夫

  筑波大学数理物質科学研究科

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 知京 豊裕

  物材機構

• 渡部 平司

  大阪大学

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構

• 林 岳

  (株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部

• 林 岳

  (株)ルネサステクノロジ

• 三瀬 信行

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)日立製作所中央研究所

• 新居 浩二

  株式会社ルネサステクノロジ

• 白石 賢二

  筑波大院数物

• 宮崎 誠一

  広大院先端研

• 倉田 英明

  (株)日立製作所 中央研究所

• 鳴海 俊一

  ルネサステクノロジ

• 山下 朋弘

  (株)ルネサステクノロジ

• 新居 浩二

  ルネサステクノロジー

• 知京 豊裕

  金属材料技術研究所

• 園田 賢一郎

  株式会社ルネサステクノロジ

• 由上 二郎

  (株)日立製作所 中央研究所

• 谷沢 元昭

  ルネサステクノロジ株式会社

• 尾田 秀一

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 西出 征男

  三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター

• 宮崎 誠一

  広島大学 工学部

• 神山 聡

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 河原 尊之

  (株)日立製作所中央研究所

• 石川 清志

  株式会社ルネサステクノロジ

• 門島 勝

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 諸岡 哲

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 由上 二郎

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 渡部 平司

  大阪大学大学院工学研究科

• 西田 征男

  (株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部

• 塚本 康正

  株式会社ルネサステクノロジ

• 谷沢 元昭

  (株)ルネサステクノロジ

• 平野 有一

  株式会社ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 一法師 隆志

  株式会社ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 前川 繁登

  株式会社ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 石川 清志

  (株)ルネサステクノロジ

• 園田 賢一郎

  (株)ルネサステクノロジ

• 山部 紀久夫

  筑波大学

• 中島 清美

  物質・材料研究機構

• 鬼沢 岳

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 加藤 慎一

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 青山 敬幸

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 諸岡 哲

  (株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研

• 新居 浩二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 塚本 康正

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 犬石 昌秀

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 由上 二郎

  ルネサス テクノロジ

• 鳴海 俊一

  (株)ルネサステクノロジ

• 新居 浩二

  ルネサステクノロジ

• 倉田 英明

  (株)日立製作所

• 宮崎 誠一

  広大

• 神山 聡

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 石川 清志

  ルネサステクノロジ

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• CHIKYOW T.

  National Institute of Materials Science

• 門島 勝

  ルネサステクノロジ

• 諸岡 哲

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 蓮沼 隆

  筑波大学電子・物理工学専攻

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 木村 紳一郎

  (株)日立製作所中央研究所

• 細井 卓治

  大阪大学

• 大田 晃生

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 河原 尊之

  日立製作所・中央研究所

• 曽根田 光生

  ソニー株式会社 メディアプロセシング研究所

• 山田 順三

  NTT通信エネルギー研究所

• 上野 修一

  (株)ルネサステクノロジ

• 青木 正和

  日立製作所半導体事業部

• 足立 哲也

  物質・材料研究機構

• 黒井 隆

  (株)ルネサステクノロジ

• 岩松 俊明

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 川崎 洋司

  (株)ルネサステクノロジ

• 山下 朋弘

  株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部

• 林 岳

  株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部

• 西田 征男

  株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部

• 川崎 洋司

  株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部

• 黒井 隆

  株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部

• 尾田 秀一

  株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部

• 栄森 貴尚

  株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部

• 曽根田 光生

  ソニー(株)半導体事業本部 研究部

• 黒岩 丈晴

  三菱電機株式会社 先端技術総合研究所

• 黒岩 丈晴

  三菱電機(株)

• 由上 二郎

  (株)ルネサステクノロジ

• 土本 淳一

  (株)ルネサステクノロジ

• 池田 和人

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 西田 高

  日立製作所中央研究所

• 山岡 雅直

  日立製作所・中央研究所

• 川瀬 靖

  日立デバイスエンジニアリング(株)

• 堀口 真志

  (株)日立製作所半導体事業部

• 秋葉 武定

  日立デバイスエンジニアリング(株)

• 川尻 良樹

  (株)genusion

• 橘川 五郎

  日立製作所中央研究所

• 堀口 文男

  株式会社 東芝 半導体事業本部

• 松岡 秀行

  (株)日立製作所基礎研究所

• 宿利 章二

  (株)GENUSION

• 堀口 真志

  日立製作所中央研究所

• 川尻 良樹

  日立製作所半導体事業部

• 立花 利一

  日立デバイスエンジニアリング

• 境 武志

  日立デバイスエンジニアリング

• 宿利 章二

  日立製作所中央研究所

• 相良 和彦

  日立製作所中央研究所

• 永井 亮

  日立製作所中央研究所

• 長谷川 昇雄

  日立製作所中央研究所

• 横山 夏樹

  日立製作所中央研究所

• 木須 輝明

  日立超LSIエンジニアリング

• 山下 寿臣

  日立超LSIエンジニアリング

• 久禮 得男

  日立製作所中央研究所

• 中島 清美

  物質材料機構

• 知京 豊裕

  物質材料機構

• 網中 敏夫

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 黒澤 悦男

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 山田 順三

  NTT LSI研究所

• 山田 順三

  Ntt 通信エネルギー研

• 山田 順三

  Ntt

• 土屋 龍太

  日立製作所中央研究所

• 木村 紳一郎

  日立製作所中央研究所

• 牧 幸生

  ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部

• 横山 夏樹

  日立製作所 中央研究所

• 古田 陽雄

  (株)ルネサステクノロジ

• 前島 伸六

  (株)ルネサステクノロジ

• 辻 高晴

  (株)ルネサステクノロジ

• 古賀 剛

  (株)ルネサステクノロジ

• 坂下 真介

  (株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部

• 森 健壱

  (株)ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部

• 森 健壹

  株式会社ルネサステクノロジ

• 蓮沼 隆

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 相良 和彦

  (株)日立製作所中央研究所

• 辻 高晴

  株式会社ルネサステクノロジ

• 古田 陽雄

  株式会社ルネサステクノロジ

• 山岡 雅直

  (株)日立製作所 中央研究所

• 大毛利 健治

  早稲田大学

• 石川 恵子

  物質・材料研究機構

• 杉田 義博

  半導体先端テクノロジーズ

• 土屋 龍太

  (株)日立製作所中央研究所

• 永井 亮

  (株)日立製作所中央研究所

• 生田目 俊秀

  (株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 網中 敏夫

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 細井 卓治

  広島大学ナノデバイス・システム研究センター

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構

• 蓮沼 隆

  筑波大学 電子・物理工学専攻

• 伊野 昌義

  沖電気工業超LSI研究開発センタ

• 岩松 俊明

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 辻内 幹夫

  (株)ルネサステクノロジ

• 池田 龍彦

  (株)ルネサステクノロジ

• 小松 大士

  (株)ルネサスセミコンダクタエンジニアリング

• 牧 幸生

  (株)ルネサステクノロジ

• 堀内 勝忠

  (株)日立製作所中央研究所

• 大毛利 健治

  早稲田大学ナノ理工学研究機構

• 酒井 芳男

  日立製作所

• 堀口 文男

  東芝

• 赤塚 泰生

  日本電気

• 喜多川 儀久

  日本Ti

• 中田 昌之

  日立製作所中央研究所

• 平山 美鈴

  日立製作所中央研究所

• 生田目 俊秀

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構

• 西田 高

  日立製作所半導体事業部生産統括本部生産技術部

• 細井 卓治

  大阪大学大学院工学研究科

• 山岡 雅直

  日立製作所中央研究所

• 山岡 雅直

  (株)日立製作所中央研究所

• 西田 征男

  株式会社ルネサステクノロジ:広島大学大学院先端物質科学研究科

• 知京 豊裕

  物材機構:comet-nims:科技機構戦略

• 尾田 秀一

  株式会社ルネサステクノロジ

• 三瀬 信行

  日立製作所

• 小野 哲郎

  (株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部

• 伊野 昌義

  沖電気工業

• 喜多川 儀久

  日本テキサスインスツルメンツasm設計課

• 木須 輝明

  日立超lsiシステムズ

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著作論文

• 低しきい値pMISFETに向けたAl_2O_3を堆積させたHfO_2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• ボロンガスクラスターイオンビームドーピングによるPMOSFETのエクステンション形成(半導体Si及び関連材料・評価)
• ファイル応用を指向した256MビットDRAMの回路技術
• HfSiON/TiNゲートスタックpMOSFETの陰極電子注入絶縁破壊モデルに基づくTDDB寿命予測方法
• メタルゲート/HfSiONゲート絶縁膜ゲートスタックにおけるピニング現象の改善策検討
• 高速/高信頼性130nm-node MRAM(新型不揮発性メモリ)
• フルシリサイドゲートトランジスタ閾値のゲート長依存性(半導体Si及び関連材料・評価)
• ボディ電位制御技術を用いた低電圧・高速動作ABC-SOI SRAM
• ボディ電位制御技術を用いた低電圧・高速動作ABC-SOI SRAM(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• Ru-Mo合金を用いた金属/high-k 絶縁膜ゲートスタックの実効仕事関数制御
• FSP-FLA(Flexibly-Shaped-Pulse FLA)による極浅接合形成とメタル/高誘電率絶縁膜デバイス特性の改善(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• (100),(110)基板上High-κ/MetalゲートpMOSFETsのNBTIと1/fノイズ特性の相違に関する考察(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• FSP-FLA(Flexibly-Shaped-Pulse FLA)による極浅接合形成とメタル/高誘電率絶縁膜デバイス特性の改善(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• (100),(110)基板上High-κ/MetalゲートpMOSFETsのNBTIと1/fノイズ特性の相違に関する考察(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 高性能,低消費電力を目指すCMOSデバイス構造の今後の発展(極限の微細化を目指す半導体プロセス技術)
• ハイブリッドトレンチ分離SOIデバイスにおけるボディ電位制御技術(半導体Si及び関連材料・評価)
• Wide-rangeバックバイアス制御を可能にする低電力・高性能Silicon on Thin BOXデバイス技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 閾値電圧制御を用いた低電圧SOICMOSデバイス技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 閾値電圧制御を用いた低電圧SOICMOSデバイス技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 90nmノードAG-ANDフラッシュメモリのためのソースサイド注入書込みのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 90nmノードAG-ANDフラッシュメモリのためのソースサイド注入書込みのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 21世紀に向けた半導体メモリの技術課題とロードマップ
• 高集積DRAM用CVD-Ta_2O_5キャパシタ技術
• しきい値電圧制御可能なゲートファースト メタルゲート/デュアル High-k CMOS

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